【摘要】：GaN基增強型高速開關(guān)器件是提升X波段微系統(tǒng)集成放大器工作效率的核心器件。介紹了凹槽柵結(jié)構(gòu)、F-注入等制作GaN基增強型器件的關(guān)鍵技術(shù),同時分析了場板、介質(zhì)柵等對器件擊穿特性的影響。針對影響GaN基功率器件開關(guān)特性的主要因素,重點分析了提高增強型GaN基功率器件開關(guān)頻率的主要技術(shù)途徑。減小器件的接觸電阻、溝道方塊電阻可以降低器件電阻對頻率的影響。小柵長器件中柵電容較低,電子的溝道渡越時間較短,也可以提高器件的頻率特性。此外,由于GaN基的功率器件頻率高,設(shè)計應(yīng)用在GaN器件上的柵驅(qū)動電路顯得尤為重要。
【作者單位】： 河北工業(yè)大學電子信息工程學院;專用集成電路重點實驗室;石家莊鐵道大學信息科學與技術(shù)學院;
【分類號】：TN303

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本文編號：2553151