發(fā)布時(shí)間：2019-10-28 13:52

【摘要】：過渡金屬二硫化物是一類層狀結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體,由于其在薄層情況下展現(xiàn)出的杰出的光電性能,使其成為當(dāng)前的研究熱點(diǎn)。薄層二硫化鉬是過渡金屬二硫化物中的典型成員,它在納米尺度發(fā)光器件的應(yīng)用方面極具前景。二硫化鉬中的激子的輻射復(fù)合是其光致發(fā)光的來源,因此其中最為關(guān)鍵的就是研究了解其中的激子的性質(zhì)。因此,研究層數(shù)的變化以及襯底的變化對(duì)薄層二硫化鉬中激子性質(zhì)影響對(duì)于其在光電器件上的應(yīng)用具有重要意義。本文主要利用機(jī)械剝離法結(jié)合PMMA轉(zhuǎn)移法在硅襯底、氮化硅襯底以及藍(lán)寶石襯底上制備了1-4層二硫化鉬,測(cè)量其拉曼光譜及熒光光譜,分析了拉曼光譜中出現(xiàn)的的4種拉曼峰的類型與所對(duì)應(yīng)的振動(dòng)模式,結(jié)合它們的振動(dòng)模式分析其拉曼峰位置隨著層數(shù)/襯底的改變而移動(dòng)的原因。通過分峰處理擬合熒光光譜并得到了光譜中A、B及A-激子峰的位置,結(jié)合其準(zhǔn)粒子帶隙能量計(jì)算得激子束縛能,分析激子束縛能隨著層數(shù)/襯底的改變發(fā)生變化的原因。利用分峰處理所得到的熒光峰強(qiáng)度信息結(jié)合理論推導(dǎo)得到A激子及A-激子之間的強(qiáng)度比與襯底的介電常數(shù)之間的關(guān)系,結(jié)合激子的尺寸及介電屏蔽效應(yīng)原理分析該關(guān)系式所對(duì)應(yīng)的物理含義。
【圖文】：

圖 1-1 二硫化鉬層狀結(jié)構(gòu)示意圖[類石墨烯二硫化鉬由出色的電學(xué)光用前景使得科研人員一直在嘗試能大規(guī)二硫化鉬，常用的有機(jī)械剝離法[15]、液相[18]、化學(xué)氣相沉積法等[19]。

圖 1-2 鋰離子插層法剝離單層二硫化鉬的流程[17]圖1-3為化學(xué)氣相沉積法的制備流程，化學(xué)氣相沉積法是利用二硫構(gòu)，通過化學(xué)反應(yīng)在襯底上逐層生長(zhǎng)二硫化鉬的方法，是目前能夠?qū)嵈竺娣e、以及大尺寸的單層二硫化鉬的方法。這種方法主要原理是利溫下將鉬源還原成二硫化鉬并沉積在襯底上，，目前獲得的單層二硫達(dá)100μm。硫蒸氣通過加熱硫粉獲得，而鉬源可以選擇三氧化鉬粉體
【學(xué)位授予單位】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2017
【分類號(hào)】：TN304

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前1條

1 湯鵬;肖堅(jiān)堅(jiān);鄭超;王石;陳潤(rùn)鋒;;類石墨烯二硫化鉬及其在光電子器件上的應(yīng)用[J];物理化學(xué)學(xué)報(bào);2013年04期

本文編號(hào)：2553136