【摘要】：隨著電路復(fù)雜度的不斷提高,越來越多的工程師們選擇利用計(jì)算機(jī)輔助軟件完成對(duì)電路的初始設(shè)計(jì),而軟件中嵌入的器件模型精度決定了仿真電路能否準(zhǔn)確反映真實(shí)電路的特性。本論文以深亞微米金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)模型為例,研究了MOSFET的小信號(hào)模型和噪聲模型。在回顧了半導(dǎo)體器件與集成電路的發(fā)展歷程,介紹了MOSFET模型的研究現(xiàn)狀以及發(fā)展趨勢之后,提出了MOSFET模型的建立方法。主要研究工作包括：1)采用開路短路法去除測試結(jié)構(gòu)的寄生參數(shù),建立射頻MOSFET小信號(hào)等效電路模型,并提取頻率范圍為0-40GHz時(shí)MOSFET小信號(hào)等效電路模型內(nèi)部電路的寄生參數(shù)和本征參數(shù)；2)對(duì)建立的MOSFET小信號(hào)等效電路模型進(jìn)行仿真,并對(duì)不同柵指數(shù)的MOSFET器件模型進(jìn)行縮放性分析；3)提出一種考慮非準(zhǔn)靜態(tài)效應(yīng)的MOSFET小信號(hào)等效電路模型,并分析其仿真結(jié)果；4)在MOSFET小信號(hào)模型的基礎(chǔ)上提出一種包含POSPIESZALSIK溫度噪聲模型和PUCEL噪聲模型的新模型,并推導(dǎo)出新模型噪聲參數(shù)的提取方法；5)對(duì)新模型的噪聲源參數(shù)以及仿真結(jié)果展開分析,驗(yàn)證新模型的準(zhǔn)確性。
【學(xué)位授予單位】：華東師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TN386

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