【摘要】：摻雜型有機(jī)電致發(fā)光器件中載流子累積、載流子復(fù)合等物理過(guò)程的深入了解對(duì)提高器件效率和穩(wěn)定性有重要作用。通過(guò)瞬態(tài)電致發(fā)光測(cè)量可以研究摻雜型有機(jī)電致發(fā)光器件內(nèi)部載流子累積。對(duì)結(jié)構(gòu)為:ITO/NPB(30 nm)/host:Ir(ppy)_3/BCP(10 nm)/Alq_3(20 nm)/LiF(0.7nm)/Al(100 nm)的器件分別研究主體材料以及客體摻雜濃度變化對(duì)有機(jī)摻雜型器件瞬態(tài)發(fā)光行為的影響。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),當(dāng)單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓關(guān)閉后,只有TAZ:Ir(ppy)_3摻雜器件出現(xiàn)發(fā)光瞬時(shí)過(guò)沖現(xiàn)象,即發(fā)光強(qiáng)度衰減到一定時(shí)間時(shí)突然增強(qiáng);且隨著客體摻雜濃度的增加,瞬時(shí)過(guò)沖強(qiáng)度逐漸增強(qiáng)。通過(guò)分析TAZ:Ir(ppy)_3摻雜器件的瞬時(shí)過(guò)沖強(qiáng)度對(duì)主體材料與摻雜濃度的依賴關(guān)系,進(jìn)一步發(fā)現(xiàn),瞬時(shí)過(guò)沖效應(yīng)強(qiáng)度主要受限于發(fā)光層內(nèi)部積累的電子載流子;TAZ:Ir(ppy)_3發(fā)光層內(nèi)電子容易被客體材料分子俘獲并積累,電場(chǎng)突變時(shí)陷阱電子容易跳躍到主體材料上并與主體材料上積累的空穴形成激子,激子能量傳遞到客體材料上并復(fù)合發(fā)光繼而出現(xiàn)發(fā)光強(qiáng)度的瞬時(shí)過(guò)沖現(xiàn)象。研究發(fā)光瞬時(shí)過(guò)沖行為可探究器件發(fā)光層內(nèi)的載流子和激子的動(dòng)態(tài)行為,有利于指導(dǎo)器件的設(shè)計(jì),從而減少積累電荷的影響,提高器件的性能。
【圖文】：

第３期邐光譜學(xué)與光譜分析邐７１１逡逑（ａ）邐１邋Ａ邋Ａ邐（ｂ）邋Ｉ邐邐邐逡逑－邐，３．0．邐－逡逑丁邐Ａｌｑ３邋Ｊ邋３邐§邐３０邐Ｈ逡逑Ｕ邋－４．０－邋ｇ邋ＮＰＢ邐＾邋ｒ邋＿４．３逡逑ｊｔ0＿邐ＰＶＫ邋ＣＢＰ邋ＴＡＺ邋｜邋Ａｌｑ３逡逑ｉ邐、邐Ｉ邋－５．０－邋４．７邋＝邋邐邋５．６邐ＲＣＰ逡逑s6邐５－，0－邐ｙ邋Ｌ，逡逑４邐ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ邋，邐＿７0．邐從邋＿逡逑Ｇｌａｓｓ邋ｓｕｂｓｔｒａｔｅ／ＩＴＯ邐邐逡逑圖１邐（ａ）器件結(jié)構(gòu)圖；（ｂ）器件能級(jí)圖逡逑Ｆｉｇ．邋１邐（ａ）邋Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅ邋ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ邋ｏｆ邋ａｎ邋ｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔ邋ＯＬＥＤ邋ｄｅｖｉｃｅ；邋（ｂ）邋Ｆ２ｎｅｒｇｙ邋ｌｅｖｅｌ邋ｄｉａｇｒａｍ邋ｏｆ邋ｔｈｅ邋ＯＬＥＤｓ逡逑表１器件結(jié)構(gòu)列表逡逑Ｔａｂｌｅ邋１邋Ｓｕｍｍａｒｙ邋ｏｆ邋ｄｅｖｉｃｅ邋ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ逡逑編號(hào)邐器件結(jié)構(gòu)逡逑＾Ａ邐ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ邋：邋ＰＳＳ／ＮＰＢＡｌ邐：邋８邋Ｗｔ％）ＴＡＺ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３／ＢＣＰ／Ａｌｑ３／ＬｉＦ／Ａｌ逡逑Ｂ邐ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ邋：邋ＰＳＳ／ＮＰＢ／Ｃ１邐：邋８邋Ｗｔ％）ＰＶＫ：邋Ｉｒ（ｐｐｙ）３／ＢＣＰ／Ａｌｑ３／ＬｉＦ／Ａｌ逡逑Ｃ邐ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ邋：邋ＰＳＳ／ＮＰＢＡｌ邐：邋８邋Ｗｔ％）ＣＢＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３／ＢＣ：Ｐ／Ａｌｑ３／ＬｉＦ／Ａｌ逡逑Ｄ邐ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ邋：邋ＰＳＳ／ＮＰＢ／ｐｕｒｅ邋Ｉｒ（ｐｐｙ）３／ＢＣＰ／Ａｌｑ３／ＬｉＦ／Ａｌ逡逑Ｅ邐ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ邋：邋ＰＳＳ／ＮＰＩＶ（１邋：邋１２邋Ｗｔ％）ＴＡＺ：邋Ｉｒ（ｐｐｙ）３／ＢＣＰ／Ａｌｑ３／Ｌ

）逡逑器的響應(yīng)速度快，可忽略其對(duì)瞬態(tài)ＥＬ信號(hào)的影響。器件的邐｜邐＃逡逑光譜由ＣＣＤ光譜儀測(cè)得。所有測(cè)試工作都在大氣環(huán)境室溫邐！邐Ｐ邐Ｖ＼逡逑下完邋邐邋１邐０．２－邐ｉｌ逡逑ＯＬＥＤ邋ｕｎｉｔ邐ｇ邐Ｍｉ逡逑Ａｌ（ｃａｔｈｏｄｅ）邐／邐＾逡逑／ｒｒ＾邋ＩＴＯ（ａｎｏｄｅ）邐邐（邐｜邐）邐「逡逑■｜邋邐邐邋４００邐５００邐６００邐７００邐８００逡逑｜邋Ｌｉｇｈｔ邋ｏｕｔｐｕｔ）邋ＰＭＴ邋—ｐ邐Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ／ｎｍ逡逑，，ＪＢ邐｜邋ｉｉＫｎ邐圖３不同主體材料的器件歸一電致發(fā)光光譜圖逡逑Ｌ－Ｉ邋Ｉ邋Ｉ邋２６０邋邐邐￣邐Ｆｉｇ．邋３邋Ｔｈｅ邋ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ邋ＥＬ邋ｓｐｅｃｔｒａ邋ｏｆ邋ａｌｌ邋ｄｅｖｉｃｅｓ逡逑１邐邐１邐器件的瞬態(tài)ＥＬ歸一化曲線如圖４所示，關(guān)閉驅(qū)動(dòng)電壓逡逑Ｐｕｌｓｅ邋Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ邋（Ｖ）邐＿邋Ｄｉｇｉｔａｌ邋Ｏｓｃｉｌｌｏｓｃｏｐｅ邋（Ｖ）邐后，器件瞬態(tài)發(fā)光曲線呈現(xiàn)出不同的特點(diǎn)：只有器件Ａ觀察逡逑圖２瞬木電致發(fā)光測(cè)量系統(tǒng)原理圖邐到瞬日’Ｊ■過(guò)沖現(xiàn)象’且拖尾現(xiàn)象明顯？器件Ｂ邋ｆｑｃ瞬，態(tài)發(fā)光；則逡逑Ｆｉｇ．邋２邋Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ邋ｄｉａｇｒａｎ，邋ｏｆ邋．ｈｅ＾ｅｒｉｍｅｎ．ａ．邋ｓｅｔｕｐ邐榞減弱』光瞬時(shí)過(guò)沖現(xiàn)象屬于激子復(fù)合發(fā)光行為，可能逡逑ｆｏｒ邋ｔｒａｎｓｉｅｎｔ邋ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ邐來(lái)自于以下兩個(gè)過(guò)程：發(fā)光層內(nèi)積累電荷的再?gòu)?fù)合過(guò)程以及逡逑陷阱電荷釋放后的再?gòu)?fù)合過(guò)程。分析能級(jí)結(jié)構(gòu)發(fā)現(xiàn)，該現(xiàn)象逡逑２邐受發(fā)光層內(nèi)靠近陰極界面的積累空穴影響小，而受陷阱電子逡逑的影響大。從圖１（ｂ）能級(jí)結(jié)構(gòu)看，空穴阻擋層ＢＣＰ與主體逡逑
【作者單位】： 北京交通大學(xué)發(fā)光與光信息技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;北京交通大學(xué)光電子技術(shù)研究所;
【基金】：國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目(2016YFB0401302) 國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(11474018) 北京市科委重大項(xiàng)目(D161100003416001) 中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金項(xiàng)目(2016JBM066)資助
【分類號(hào)】：TN383.1

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