【摘要】：基于γ射線輻照條件下單軸應(yīng)變Si納米n型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(NMOSFET)載流子的微觀輸運機(jī)制,揭示了單軸應(yīng)變Si納米NMOSFET器件電學(xué)特性隨總劑量輻照的變化規(guī)律,同時基于量子機(jī)制建立了小尺寸單軸應(yīng)變Si NMOSFET在γ射線輻照條件下的柵隧穿電流模型,應(yīng)用Matlab對該模型進(jìn)行了數(shù)值模擬仿真,探究了總劑量、器件幾何結(jié)構(gòu)參數(shù)、材料物理參數(shù)等對柵隧穿電流的影響.此外,通過實驗進(jìn)行對比,該模型仿真結(jié)果和總劑量輻照實驗測試結(jié)果基本符合,從而驗證了模型的可行性.本文所建模型為研究納米級單軸應(yīng)變Si NMOSFET應(yīng)變集成器件可靠性及電路的應(yīng)用提供了有價值的理論指導(dǎo)與實踐基礎(chǔ).
【作者單位】： 西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件重點實驗室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:61474085) 陜西省科技計劃項目(批準(zhǔn)號:2016GY-085)資助的課題~~
【分類號】：TN386

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