【摘要】：氧化鋅是一種具有立方晶體結(jié)構(gòu)的直接帶隙半導體材料。在室溫下,通過鎂元素的摻雜可制得氧鋅鎂合金薄膜,使得這種薄膜材料的禁帶寬度在3.3 eV~7.8 eV范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。由于這種半導體材料分布廣泛、制備方法多以及環(huán)境友好,人們越來越關(guān)注這種材料的研究。本論文主要采用射頻磁控濺射的方法來生長氧化鋅薄膜和氧鋅鎂合金薄膜。生長后的薄膜通過光刻工藝制備出具有金屬-半導體-金屬結(jié)構(gòu)的紫外光電探測器。主要研究了射頻磁控濺射的方法生長的氧鋅鎂基薄膜的表面形貌和光電性能;通過表面等離子基元的修飾提升薄膜的吸收系數(shù)和探測器的響應(yīng)度,并通過研討金屬納米顆粒對雙層膜結(jié)構(gòu)探測器的修飾作用對局域表面等離子基元理論做進一步了解。
【圖文】：

導體化合物探測器（以砷化鎵為主體）到現(xiàn)第三代探測器的迅猛發(fā)展其技術(shù)也逐漸趨于入其中的因素功不可沒。材料，金剛石、碳化硅、氮化鎵基材料以及氧些材料中，碳化硅的量子效率并不高；金剛質(zhì)量的摻雜并且可控卻仍是一個難題；氮化長成本過高并且相關(guān)的研究還處于一個實驗的優(yōu)越性能被科研人員所廣泛應(yīng)用和研究。年代，日本 A.Ohtomo 研究團隊【5】的研究中具有鎂元素摻雜的氧鋅鎂半導體薄膜在藍寶隨著 Mg 的加入量逐漸遞增，MgZnO 半導體，研究中還發(fā)現(xiàn)半導體薄膜的吸收截止邊發(fā)波段向短波方向移動。最后令人意外的是，，g 的摩爾比為 33%，這時開始出現(xiàn)分相情況；立方相。如圖 1.1 所示為不同組分的試樣的

.2 (a)鎂摻雜量為 0.34 的氧鋅鎂合金薄膜紫外探測器叉指電極結(jié)構(gòu)圖；(b)光電流I-V 特性曲線Fig 1.2 (a) Magnesium doping amount of 0.34 oxygen zinc magnesium alloydetector fork refers to the electrode structure; (b) Photoelectric current and dark cucharacteristic curve
【學位授予單位】：長春理工大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2015
【分類號】：TN23

【相似文獻】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 李慧蕊;新型紫外探測器及其應(yīng)用[J];光電子技術(shù);2000年01期

2 高國龍;用倒置結(jié)構(gòu)制作太陽盲紫外探測器[J];紅外;2001年09期

3 高;大光譜帶寬太陽盲紫外探測器[J];紅外;2002年11期

4 白謝輝,楊定江;半導體紫外探測器技術(shù)進展[J];激光與紅外;2003年02期

5 龔海梅,李向陽,亢勇,許金通,湯英文,李雪,張燕,趙德剛,楊輝;Ⅲ族氮化物紫外探測器及其研究進展[J];激光與紅外;2005年11期

6 呂惠民;陳光德;苑進社;;電極形狀與紫外探測器靈敏度關(guān)系的研究[J];光子學報;2006年07期

7 應(yīng)承平;劉紅元;王建峰;;紫外探測器光譜響應(yīng)及噪聲測量裝置[J];宇航計測技術(shù);2008年01期

8 王銳;宋克非;;高精度紫外探測器輻射定標系統(tǒng)[J];光學精密工程;2009年03期

9 孫權(quán)社;陳坤峰;李艷輝;;疊加法測量紫外探測器非線性的技術(shù)研究[J];光學學報;2009年07期

10 邵秀梅;陳郁;陳新禹;;高精度紫外探測器定標測試方法[J];航天器環(huán)境工程;2010年02期

相關(guān)會議論文 前10條

1 孫權(quán)社;李艷輝;王建峰;;提高紫外探測器非線性測量動態(tài)范圍的技術(shù)研究[A];第十二屆全國光學測試學術(shù)討論會論文（摘要集）[C];2008年

2 李慧蕊;;新型的紫外探測器及其應(yīng)用[A];面向21世紀的科技進步與社會經(jīng)濟發(fā)展（上冊）[C];1999年

3 徐自強;李燕;謝娟;陳航;王恩信;鄧宏;;半導體紫外探測器及其研究進展[A];四川省電子學會傳感技術(shù)第九屆學術(shù)年會論文集[C];2005年

4 陳君洪;楊小麗;;紫外通信中探測器的研究[A];2008年激光探測、制導與對抗技術(shù)研討會論文集[C];2008年

5 季振國;杜鵑;范鎵;王瑋;孫蘭俠;何作鵬;;溶膠-凝膠提拉法制備日盲型紫外探測器[A];全國第三屆溶膠—凝膠科學技術(shù)學術(shù)會議論文摘要集[C];2004年

6 王蘭喜;陳學康;王云飛;郭晚土;吳敢;曹生珠;尚凱文;;納米金剛石薄膜紫外探測器研究[A];中國真空學會2008學術(shù)年會論文集[C];2008年

7 姜文海;陳辰;李忠輝;周建軍;董遜;;GaN MSM型紫外探測器[A];2007年全國微波毫米波會議論文集（下冊）[C];2007年

8 樓燕燕;王林軍;張明龍;顧蓓蓓;蘇青峰;夏義本;;CVD金剛石紫外探測器[A];第五屆中國功能材料及其應(yīng)用學術(shù)會議論文集Ⅰ[C];2004年

9 陳君洪;楊小麗;;紫外光通信中幾種探測器的比較研究[A];中國電子學會第十五屆電子元件學術(shù)年會論文集[C];2008年

10 黎大兵;孫曉娟;宋航;蔣紅;繆國慶;陳一仁;李志明;;GaN基紫外探測器材料與器件研究[A];第十二屆全國MOCVD學術(shù)會議論文集[C];2012年

相關(guān)重要報紙文章 前1條

1 王蔚;比一粒米還小,“紫外探測器”可隨時報輻射強度[N];新華每日電訊;2007年

相關(guān)博士學位論文 前10條

1 周東;4H-SiC雪崩紫外單光子探測器的研究[D];南京大學;2014年

2 張峰;4H-SiC基紫外探測器減反射膜的設(shè)計、制備及應(yīng)用[D];廈門大學;2008年

3 謝峰;Ⅲ族氮化物半導體可見光盲及日盲紫外探測器研究[D];南京大學;2012年

4 谷學匯;聚合物表面修飾對紫外探測器性能影響的研究[D];吉林大學;2014年

5 張敏;低維半導體納米材料紫外光電性能的研究[D];吉林大學;2015年

6 張海峰;Zr_xTi_(1-x)O_2固溶體基紫外光電探測器的研制[D];吉林大學;2012年

7 張軍琴;寬禁帶半導體MSM結(jié)構(gòu)紫外探測器的研究[D];西安電子科技大學;2009年

8 陳斌;碳化硅MSM紫外探測器結(jié)構(gòu)優(yōu)化與溫度特性研究[D];西安電子科技大學;2012年

9 解艷茹;TiO_2基光電探測器的制備與性能研究[D];山東大學;2014年

10 張昊翔;硅基GaN薄膜材料及紫外探測器原型器件研究[D];浙江大學;2001年

相關(guān)碩士學位論文 前10條

1 戴文;納米ZnO基紫外探測器的制備與性能研究[D];浙江大學;2015年

2 裴生棣;基干氧化鋅的p-n結(jié)紫外探測器[D];蘭州大學;2015年

3 石宇辰;TiO_2與SnO_2空心納米粒子的制備及其在自供能紫外探測器中的應(yīng)用[D];哈爾濱工業(yè)大學;2015年

4 盛拓;氧化鎵薄膜光電導日盲紫外探測器的研制[D];電子科技大學;2015年

5 楊炅浩;4H-SiC PIN紫外探測器的研究[D];西安電子科技大學;2014年

6 韓孟序;GaN基p-i-n紫外探測器性能研究[D];西安電子科技大學;2014年

7 汪涵;單芯片集成紫外探測器及其讀出電路設(shè)計[D];湘潭大學;2015年

8 姜殿利;MSM結(jié)構(gòu)InGaZnO紫外探測器的制備及性能研究[D];哈爾濱師范大學;2015年

9 許毅松;4H-SiC肖特基結(jié)紫外探測器的性能及可靠性研究[D];南京大學;2016年

10 薛世偉;日盲紫外探測器數(shù)值仿真與集成器件制備[D];中國科學院研究生院(上海技術(shù)物理研究所);2016年

本文編號：2539284