【摘要】：Full-in-cell(FIC)產(chǎn)品信號線SD層結(jié)構(gòu)為Mo-Al-Mo結(jié)構(gòu),使用Reactive Ion Etching(RIE)模式干法刻蝕設(shè)備進(jìn)行N+Etch時(shí),氯的化合物會吸附在信號線中的Al線側(cè)壁及光刻膠的表面,當(dāng)玻璃基板離開刻蝕腔體接觸到空氣,遇到水分發(fā)生水解反應(yīng),對Al線造成腐蝕,嚴(yán)重影響產(chǎn)品特性。本文在RIE刻蝕模式腔體內(nèi)采用刻蝕條件變更改善Al腐蝕現(xiàn)象,通過對刻蝕的前處理步驟,后處理步驟以及去靜電步驟的參數(shù)包括壓強(qiáng)、功率和時(shí)間以及氣體流量比進(jìn)行實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)并對數(shù)據(jù)進(jìn)行分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明當(dāng)后處理步驟2 000 W,O_2/SF_6比例為2 000mL·min~(-1)/50mL·min~(-1),壓強(qiáng)為200mt(1mt=0.133Pa),Time為15s為最優(yōu)條件,可以徹底改善Al腐蝕現(xiàn)象。此條件TFT特性方面更加優(yōu)越,Dark I_(on)為1.91μA,Photo I_(off)為4.1pA。
【作者單位】： 北京京東方光電科技有限公司;
【基金】：京東方研發(fā)基金~~
【分類號】：TN305.7

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本文編號：2532854