發(fā)布時(shí)間：2019-09-07 06:42

【摘要】：Full-in-cell(FIC)產(chǎn)品信號(hào)線SD層結(jié)構(gòu)為Mo-Al-Mo結(jié)構(gòu),使用Reactive Ion Etching(RIE)模式干法刻蝕設(shè)備進(jìn)行N+Etch時(shí),氯的化合物會(huì)吸附在信號(hào)線中的Al線側(cè)壁及光刻膠的表面,當(dāng)玻璃基板離開(kāi)刻蝕腔體接觸到空氣,遇到水分發(fā)生水解反應(yīng),對(duì)Al線造成腐蝕,嚴(yán)重影響產(chǎn)品特性。本文在RIE刻蝕模式腔體內(nèi)采用刻蝕條件變更改善Al腐蝕現(xiàn)象,通過(guò)對(duì)刻蝕的前處理步驟,后處理步驟以及去靜電步驟的參數(shù)包括壓強(qiáng)、功率和時(shí)間以及氣體流量比進(jìn)行實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)并對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明當(dāng)后處理步驟2 000 W,O_2/SF_6比例為2 000mL·min~(-1)/50mL·min~(-1),壓強(qiáng)為200mt(1mt=0.133Pa),Time為15s為最優(yōu)條件,可以徹底改善Al腐蝕現(xiàn)象。此條件TFT特性方面更加優(yōu)越,Dark I_(on)為1.91μA,Photo I_(off)為4.1pA。
【作者單位】： 北京京東方光電科技有限公司;
【基金】：京東方研發(fā)基金~~
【分類號(hào)】：TN305.7

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 周榮春,張海霞,郝一龍;微加工干法刻蝕工藝模擬工具的研究現(xiàn)狀[J];微納電子技術(shù);2003年Z1期

2 敬小成,黃美淺,姚若河;攜帶氣體對(duì)二氧化硅干法刻蝕的影響[J];微電子學(xué);2005年05期

3 王沖;郝躍;馮倩;郭亮良;;氮化鎵干法刻蝕研究進(jìn)展[J];半導(dǎo)體技術(shù);2006年06期

4 葛強(qiáng);;硅的干法刻蝕簡(jiǎn)介[J];集成電路應(yīng)用;2008年04期

5 張欽亮;蘇靜洪;王謨;平志韓;雍春娥;祝啟蒙;金志杰;;一種干法刻蝕機(jī)的新型裝載腔設(shè)計(jì)[J];制造技術(shù)與機(jī)床;2013年03期

6 劉明大;激光輔助干法刻蝕的新進(jìn)展[J];半導(dǎo)體光電;1986年02期

7 李曉明;;干法刻蝕技術(shù)的進(jìn)展[J];半導(dǎo)體情報(bào);1987年04期

8 朱洪亮;干法刻蝕Ⅲ—Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料的最新進(jìn)展[J];科學(xué)通報(bào);1989年22期

9 江澤流;;微細(xì)制版中的干法刻蝕技術(shù)研究[J];電子工藝技術(shù);1991年05期

10 李祥;干法刻蝕鋁合金引線產(chǎn)生的后腐蝕及其對(duì)策[J];微電子技術(shù);1996年01期

相關(guān)會(huì)議論文 前6條

1 楊霏;周瑞;李亮;馮震;李效白;潘宏菽;蔡樹(shù)軍;;碳化硅器件制備中干法刻蝕工藝的研究[A];第十六屆全國(guó)半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2007年

2 陳磊;張靖;毛謙;;ICP干法刻蝕技術(shù)在Ⅲ-Ⅴ族化合物中的應(yīng)用[A];武漢市第二屆學(xué)術(shù)年會(huì)、通信學(xué)會(huì)2006年學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2006年

3 張沛元;郭浩;張雄;崔一平;;藍(lán)光LED的Si基圖形化襯底制備技術(shù)[A];2012（杭州）中國(guó)長(zhǎng)三角照明科技論壇論文集[C];2012年

4 栗銳;王義;林罡;陳堂勝;;干法柵挖槽GaAs HFET功率管[A];2010’全國(guó)半導(dǎo)體器件技術(shù)研討會(huì)論文集[C];2010年

5 賴建軍;趙悅;柯才軍;周宏;易新建;翁雪濤;熊平;;硅衍射微透鏡陣列的制作技術(shù)研究[A];2004全國(guó)圖像傳感器技術(shù)學(xué)術(shù)交流會(huì)議論文集[C];2004年

6 江忠永;李書(shū)文;張昊翔;;干法和濕法圖形化藍(lán)寶石襯底在GaN基LED上的應(yīng)用[A];2012（杭州）中國(guó)長(zhǎng)三角照明科技論壇論文集[C];2012年

相關(guān)重要報(bào)紙文章 前1條

1 吳建新;在微電子領(lǐng)域奮力攀登[N];大眾科技報(bào);2000年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前2條

1 王青鵬;干法刻蝕輔助型GaN MOSFET的器件工藝及電學(xué)特性研究[D];大連理工大學(xué);2015年

2 曹萌;干法刻蝕和離子注入影響Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體量子阱發(fā)光特性研究[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院（上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所）;2007年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前6條

1 李賀;基于金屬氧化物半導(dǎo)體的電子器件集成[D];山東大學(xué);2016年

2 張新言;干法刻蝕制程工藝及相關(guān)缺陷的分析和改善[D];上海交通大學(xué);2009年

3 邱鵬;C_4F_6在130nm產(chǎn)品中接觸孔/通孔干法刻蝕工藝中的應(yīng)用[D];上海交通大學(xué);2008年

4 張超;寬帶隙氧化鋅和氧化鎵的干法刻蝕研究[D];大連理工大學(xué);2014年

5 王笑龍;納米多孔氮化鎵制備及氮化鎵干法刻蝕損傷回復(fù)研究[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院（上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所）;2006年

6 徐煒;0.18微米側(cè)壁（Spacer）干法刻蝕工藝的開(kāi)發(fā)與優(yōu)化[D];復(fù)旦大學(xué);2008年

，

本文編號(hào)：2532854