【摘要】：提出了一種新型的RC-IGBT器件,相比于常規(guī)RC-IGBT,新型的RC-IGBT在集電極側引入了一個類似于柵極的多晶硅溝槽結構,不同之處是溝槽底部結構沒有氧化層將多晶硅與硅體區(qū)相隔離,于是可將此重摻雜的多晶硅區(qū)作為新型的RC-IGBT的集電極的N+短路區(qū),故稱為TO-RC-IGBT(Trench oxide reverse conducting IGBT)。由于集電極P+陽極層與N+短路區(qū)之間的氧化層隔離,TO-RC-IGBT并未出現(xiàn)常規(guī)RC-IGBT導通時的回跳現(xiàn)象。為了避免產(chǎn)生回跳現(xiàn)象,常規(guī)RC-IGBT的元胞寬度通常達數(shù)百微米,而TO-RC-IGBT元胞寬度只有20μm,因而TO-RC-IGBT不會出現(xiàn)常規(guī)RC-IGBT的反向電流分布不均勻的問題。
【作者單位】： 西安理工大學理學院;西安理工大學自動化與信息工程學院;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(61575158)
【分類號】：TN322.8

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【共引文獻】

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本文編號：2532212