【摘要】：提出了一種新型的RC-IGBT器件,相比于常規(guī)RC-IGBT,新型的RC-IGBT在集電極側(cè)引入了一個(gè)類(lèi)似于柵極的多晶硅溝槽結(jié)構(gòu),不同之處是溝槽底部結(jié)構(gòu)沒(méi)有氧化層將多晶硅與硅體區(qū)相隔離,于是可將此重?fù)诫s的多晶硅區(qū)作為新型的RC-IGBT的集電極的N+短路區(qū),故稱(chēng)為T(mén)O-RC-IGBT(Trench oxide reverse conducting IGBT)。由于集電極P+陽(yáng)極層與N+短路區(qū)之間的氧化層隔離,TO-RC-IGBT并未出現(xiàn)常規(guī)RC-IGBT導(dǎo)通時(shí)的回跳現(xiàn)象。為了避免產(chǎn)生回跳現(xiàn)象,常規(guī)RC-IGBT的元胞寬度通常達(dá)數(shù)百微米,而TO-RC-IGBT元胞寬度只有20μm,因而TO-RC-IGBT不會(huì)出現(xiàn)常規(guī)RC-IGBT的反向電流分布不均勻的問(wèn)題。
【作者單位】： 西安理工大學(xué)理學(xué)院;西安理工大學(xué)自動(dòng)化與信息工程學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61575158)
【分類(lèi)號(hào)】：TN322.8

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本文編號(hào)：2532212