【摘要】：該文介紹了F基氣體電感耦合等離子體(ICP)干法刻蝕系統(tǒng)對金屬M(fèi)o薄膜側(cè)壁角度的影響。通過調(diào)節(jié)ICP干法刻蝕設(shè)備的射頻功率、ICP離子源功率、腔體氣壓、SF6及Ar的氣體流量等工藝參數(shù),實(shí)現(xiàn)了30.3°~51.6°的側(cè)壁傾角,為薄膜體聲波諧振器(FBAR)研制工藝提供了有益指導(dǎo)。
【圖文】：

圖１ＲＦ功率變化的刻蝕結(jié)果分析圖圖２為ＩＣＰ功率變化時(shí)對刻蝕結(jié)果的影響。由圖可看出，ＩＣＰ功率為２０００Ｗ時(shí)，側(cè)壁角度為圖２ＩＣＰ功率變化的刻蝕結(jié)果分析圖３９．４°；１０００Ｗ時(shí)，側(cè)壁角度為３０．４°，在一定范圍內(nèi)，隨著ＩＣＰ功率的增加，腔體活性粒子增多，物理轟擊的活性粒子增加，刻蝕的各向異性增強(qiáng)，刻蝕角度增加，ＩＣＰ功率對刻蝕角度的調(diào)節(jié)范圍較大。由圖還可看出，隨著ＩＣＰ增加，刻蝕速率增加。圖３為腔室氣壓變化對刻蝕結(jié)果的影響。由圖可看出，當(dāng)腔室氣壓為６．６５０Ｐａ時(shí)，側(cè)壁角度為４５．８°；３．３２５Ｐａ時(shí)，側(cè)壁角度為５１．６°。隨著氣壓的減小，腔室粒子減少，平均自由程增加，刻蝕的各向異性增加，側(cè)壁角度增加，腔室氣壓對刻蝕角度調(diào)節(jié)范圍較大。隨著腔室氣壓的減小，刻蝕速率增加。圖３腔室氣壓變化的刻蝕結(jié)果分析圖圖４為ＳＦ６氣體流量變化對刻蝕結(jié)果的影響。由圖可看出，ＳＦ６氣體流量為３０ｃｍ３／ｍｉｎ時(shí)，側(cè)壁角度為３６．０°；ＳＦ６氣體流量為１０ｃｍ３／ｍｉｎ時(shí)，側(cè)壁第２期田本朗等：干法刻蝕條件對Ｍｏ側(cè)壁角度的影響２０１

６氣體流量對刻蝕角度的調(diào)節(jié)范圍較校隨著ＳＦ６氣體流量減小，刻蝕速率減校圖５為Ａｒ氣體流量對刻蝕結(jié)果的影響。由圖可知，Ａｒ氣體流量為３０ｃｍ３／ｍｉｎ時(shí)，側(cè)壁角度為３８．０°；Ａｒ氣體流量為１０ｃｍ３／ｍｉｎ時(shí)，側(cè)壁角度為３０．８°。由于Ａｒ主要起到轟擊作用，因此，隨著Ａｒ氣體流量的減小，反應(yīng)刻蝕增加，刻蝕各向同性增強(qiáng)，圖形側(cè)壁角度隨著減小，Ａｒ氣體流量的變化對刻蝕角度調(diào)節(jié)范圍較大。隨著Ａｒ氣體流量減小，刻蝕速率減校圖５Ａｒ氣體流量變化的刻蝕結(jié)果分析圖３結(jié)束語采用電感耦合等離子體刻蝕系統(tǒng)，研究了工藝參數(shù)對刻蝕角度的影響。通過改變刻蝕工藝過程中的工藝參數(shù)，如ＲＦ功率、ＩＣＰ功率、腔室氣壓、ＳＦ６和Ａｒ氣體流量，，可得刻蝕側(cè)壁角度為３０．３°～５１．６°，得到了良好的刻蝕形貌。。參考文獻(xiàn)：［１］劉罡，朱嘉琦，王賽，等．固貼式薄膜體聲波諧振器用材料體系研究進(jìn)展［Ｊ］．無機(jī)材料學(xué)報(bào)，２０１０，２５（１２）：１２３３－１２４１．ＬＩＵＧ，ＺＨＵＪＱ，ＷＡＮＧＳ，ｅｔａｌ．Ｐｒｏｇｒｅｓｓｉｎｍａｔｅｒｉ－ａｌｓｕｓｅｄｆｏｒｓｏｌｉｄｌｙｍｏｕｎｔｅｄｆｉｌｍｂｕｌｋａｃｏｕｓｔｉｃｒｅｓｏｎａ－ｔｏｒｓ［Ｊ］．ＪｏｕｒｎａｌｏｆＩｎｏｒｇａｎｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓ，２０１０，２５（１２）：１２３３－１２４１．［２］張輝，馮梓鑫，張淑儀．多壓電層對薄膜體聲波傳感器諧振特性的影響［Ｊ］．聲學(xué)技術(shù)，２０１０，２９（６）：１６４－１６５．ＺＨＡＮＧＨ，ＦＥＮＧＺＸ
【作者單位】： 中國電子科技集團(tuán)公司第二十六研究所;
【分類號】：TN305.7

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本文編號：2528088