【摘要】：基于65 nm工藝下單粒子瞬態(tài)脈寬檢測電路,在重離子輻照下,對目標單元單粒子瞬態(tài)脈寬進行了測試。針對實驗結(jié)果中單粒子瞬態(tài)脈寬分布出現(xiàn)多峰的現(xiàn)象進行了分析。詳細對比了反相器多峰現(xiàn)象與LET值、溫度、閾值電壓間的關系。通過TCAD仿真分析了多峰現(xiàn)象的原因,即PMOS由于寄生雙極效應,在高LET粒子攻擊下產(chǎn)生的瞬態(tài)脈沖脈寬大于粒子攻擊NMOS產(chǎn)生的瞬態(tài)脈沖脈寬。高溫條件會使得寄生雙極效應更加嚴重,因此在高溫條件下脈寬分布的多峰現(xiàn)象更加明顯。
[Abstract]:Based on the single particle transient pulse width detection circuit under 65 nm process, the single particle transient pulse width of the target unit is measured under heavy ion irradiation. The phenomenon of multiple peaks in the transient pulse width distribution of single particle is analyzed. The relationship between multipeak phenomenon and LET value, temperature and threshold voltage is compared in detail. The cause of multi-peak phenomenon is analyzed by TCAD simulation, that is, the transient pulse width of PMOS under high LET particle attack is larger than that of particle attack NMOS because of parasitic bipolar effect. At high temperature, the parasitic bipolar effect is more serious, so the multipeak phenomenon of pulse width distribution is more obvious at high temperature.
【作者單位】： 北京微電子技術研究所;哈爾濱工業(yè)大學;
【分類號】：TN40

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