【摘要】：為了提高亞穩(wěn)立方Al N薄膜的外延質(zhì)量,采用激光分子束外延法,以Ti N為緩沖層在Si(100)襯底上制備立方Al N薄膜,主要研究了Ti N緩沖層厚度對立方Al N薄膜結(jié)晶質(zhì)量和表面形貌的影響。結(jié)果表明,以Ti N為緩沖層可制備出高取向度的立方Al N薄膜,當(dāng)緩沖層沉積時(shí)間為30 min時(shí),立方Al N薄膜的結(jié)晶質(zhì)量最好,表面最平整。
[Abstract]:In order to improve the epitaxial quality of cubic Al N thin films, cubic Al N thin films were prepared on Si substrate with Ti N as buffer layer by laser molecular beam epitaxial method. The effect of the thickness of Ti N buffer layer on the crystallization quality and surface morphology of cubic Al N thin films was studied. The results show that cubic Al N thin films with high orientation can be prepared by using Ti N as buffer layer. When the deposition time of buffer layer is 30 min, the crystallization quality of cubic Al N thin films is the best and the surface is the smoothest.
【作者單位】： 廣西生態(tài)型鋁產(chǎn)業(yè)協(xié)同創(chuàng)新中心廣西大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：廣西自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(2015GXNSFAA139265)
【分類號】：TN304.2

【參考文獻(xiàn)】

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1 胡敏;劉瑩;賴珍荃;劉倩;朱秀榕;;磁控濺射TiN薄膜的工藝及電學(xué)性能研究[J];功能材料;2009年02期

2 趙丹;朱俊;羅文博;魏賢華;李言榮;;脈沖激光沉積制備立方AlN薄膜的研究[J];功能材料;2007年07期

3 張霞,陳同來,李效民;Si(100)襯底上PLD法制備高取向度AlN薄膜[J];無機(jī)材料學(xué)報(bào);2005年02期

4 廖克俊,王萬錄;寬帶隙半導(dǎo)體AIN薄膜的制備及應(yīng)用[J];半導(dǎo)體技術(shù);2001年01期

【共引文獻(xiàn)】

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1 莫祖康;黃尚力;翁瑤;符躍春;何歡;沈曉明;;TiN緩沖層厚度對立方AlN薄膜顯微組織結(jié)構(gòu)的影響[J];廣西大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2017年03期

2 王微;王春香;俞蓓;;氮?dú)饬髁繉︿X合金表面TiN鍍層的影響[J];佳木斯大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2016年06期

3 金成飛;司美菊;徐陽;杜波;陳云祥;;AlN薄膜制備技術(shù)研究[J];壓電與聲光;2016年04期

4 黃美東;李云珂;王萌萌;王宇;陳廣宵;;多弧離子鍍沉積TiAlN/TiN多層膜的結(jié)構(gòu)與性能[J];天津師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2015年01期

5 李忠厚;郭騰騰;宮學(xué)博;馬芹芹;楊迪;;磁控濺射鍍鈦提高AZ31鎂合金耐磨耐蝕性能的研究[J];表面技術(shù);2014年06期

6 鄭曉華;寇云峰;張繼;宋建強(qiáng);宋仁國;;脈沖激光沉積AlN薄膜的工藝優(yōu)化與機(jī)械性能[J];浙江工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào);2013年02期

7 呂長東;黃美東;劉野;許世鵬;薛利;;氮?dú)饬髁繉Υ趴貫R射TiN膜層色澤的影響[J];電鍍與精飾;2013年03期

8 符躍春;;Effects of N_2 Pressure on the Structural and Electrical Properties of TiN Films Deposited by Laser Molecular Beam Epitaxy[J];Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science Edition);2011年05期

9 楊為家;謝尚f;李雪飛;王云云;符躍春;;Si(100)襯底上激光分子束外延制備高質(zhì)量TiN薄膜[J];真空;2011年03期

10 李鵬;黃美東;佟莉娜;張琳琳;王麗格;李曉娜;;磁控濺射與電弧離子鍍制備TiN薄膜的比較[J];天津師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2011年02期

【二級參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前3條

1 何萌;劉國珍;仇杰;邢杰;呂惠賓;;用激光分子束外延在Si襯底上外延生長高質(zhì)量的TiN薄膜[J];物理學(xué)報(bào);2008年02期

2 王君麗,施雯;Cr12MoV鋼表面磁控濺射Ti/TiN涂層的摩擦磨損性能研究[J];摩擦學(xué)學(xué)報(bào);2005年02期

3 劉元富,張谷令,王久麗,劉赤子,楊思澤;脈沖高能量密度等離子體法制備TiN薄膜及其摩擦磨損性能研究[J];物理學(xué)報(bào);2004年02期

【相似文獻(xiàn)】

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1 劉祥林,汪連山,陸大成,王曉暉,汪度,林蘭英;氮化鎵緩沖層的物理性質(zhì)[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1999年08期

2 K.Morizane;學(xué)工;;GaAsMESFET源-漏燒毀的機(jī)理[J];半導(dǎo)體情報(bào);1981年02期

3 ;GaAs離子注入工藝實(shí)驗(yàn)簡況[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;1982年01期

4 宋淑梅;宋玉厚;楊田林;賈紹輝;辛艷青;李延輝;;同質(zhì)緩沖層對氧化銦錫薄膜特性的影響[J];人工晶體學(xué)報(bào);2013年12期

5 R.D.Fairman;嚴(yán)振斌;;用鹵化物輸運(yùn)法生長高阻摻鉻GaAs緩沖層[J];半導(dǎo)體情報(bào);1981年01期

6 韓培德,楊海峰,張澤,段樹坤,滕學(xué)公;半導(dǎo)體GaN/MgAl2O4中緩沖層的透射電子顯微分析[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1998年10期

7 A.A.Immorlica;張俊杰;;利用離子注入體襯底和汽相外延緩沖層制造功率GaAsFET[J];半導(dǎo)體情報(bào);1981年01期

8 劉明大,李淑文,蘇世昌,張喜田,高欣;液相外延生長準(zhǔn)三元InP緩沖層位錯(cuò)密度降低的研究[J];半導(dǎo)體光電;1988年01期

9 朱慧群;丁瑞欽;蔡繼業(yè);胡怡;;同質(zhì)緩沖層對ZnO薄膜光學(xué)性質(zhì)的影響[J];電子元件與材料;2006年07期

10 熊麗;李美成;邱永鑫;張保順;李林;劉國軍;趙連城;;緩沖層生長速率對GaSb薄膜二維生長的影響[J];功能材料;2007年06期

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1 唐武;殷學(xué)松;鄧龍江;;緩沖層對Au膜電阻率的影響[A];2009中國功能材料科技與產(chǎn)業(yè)高層論壇論文集[C];2009年

2 閻有花;盧志超;周少雄;李正邦;;寬帶隙緩沖層CuI薄膜的制備和性能研究[A];2009中國功能材料科技與產(chǎn)業(yè)高層論壇論文集[C];2009年

3 潘紅星;王茺;熊飛;張學(xué)貴;楊杰;李天信;楊宇;;緩沖層生長溫度對量子點(diǎn)生長的影響[A];第七屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議論文集（第6分冊）[C];2010年

4 武娜;駱群;馬昌期;;有機(jī)-無機(jī)復(fù)合薄膜作為電子緩沖層在聚合物太陽能電池中的應(yīng)用[A];中國化學(xué)會第29屆學(xué)術(shù)年會摘要集——第25分會：有機(jī)光伏[C];2014年

5 王國松;張珊珊;甄營;董巧燕;姜宏偉;;Ta緩沖層對超薄NiCo薄膜微結(jié)構(gòu)和磁電特性的影響[A];第七屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議論文集（第6分冊）[C];2010年

6 金沈賢;鐘智勇;任學(xué)恒;張懷武;;Fe_3O_4緩沖層對CoFe_2O_4薄膜磁性能的影響[A];第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議論文集（3）[C];2007年

7 劉亞光;孔令寅;李紹輝;劉海鷗;張雄福;邱介山;;ZnO層作為過渡緩沖層而誘導(dǎo)合成的穩(wěn)定ZIF-8膜的高溫氣體滲透[A];第十七屆全國分子篩學(xué)術(shù)大會會議論文集[C];2013年

8 李占國;劉國軍;尤明慧;熊敏;李梅;李林;;MBE生長中緩沖層對InSb/GaAs質(zhì)量影響的研究[A];2007年先進(jìn)激光技術(shù)發(fā)展與應(yīng)用研討會論文集[C];2007年

9 蔡志海;張平;譚俊;;硅基體BN_x注入緩沖層對c-BN薄膜生長和結(jié)合強(qiáng)度的影響[A];2007年全國博士生學(xué)術(shù)論壇（材料科學(xué)與工程學(xué)科）論文集[C];2007年

10 周麗萍;季勇;季紅;王艾玲;鄭鵡;姜宏偉;;(Ni_(0.81)Fe_(0.19))_(66)Cr_(34)緩沖層對Ni_(74)Co_(26)薄膜各向異性磁電阻的影響[A];第五屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議論文集Ⅰ[C];2004年

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1 ;包裝箱用帶緩沖層的復(fù)合紙墊板[N];中國包裝報(bào);2006年

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1 潘婧;溶液法對陽極界面修飾提高聚合物太陽能電池性能的研究[D];西南大學(xué);2015年

2 王輝;緩沖層外延生長及其與超導(dǎo)層的相互影響機(jī)制研究[D];陜西科技大學(xué);2016年

3 高芳亮;大失配緩沖層技術(shù)外延生長In_(0.3)Ga_(0.7)As薄膜及其電池制備[D];華南理工大學(xué);2016年

4 李晉平;大失配InGaAs異質(zhì)結(jié)的MOCVD生長與材料特性研究[D];中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所;2017年

5 雷鳴;高分子輔助化學(xué)溶液沉積法制備涂層導(dǎo)體緩沖層長帶[D];西南交通大學(xué);2012年

6 張欣;高分子輔助化學(xué)溶液沉積法制備涂層導(dǎo)體緩沖層和超導(dǎo)層[D];西南交通大學(xué);2013年

7 徐林華;緩沖層、包覆層對提高ZnO納米薄膜紫外發(fā)射性能的研究[D];南京理工大學(xué);2009年

8 張燕怡;高溫超導(dǎo)涂層導(dǎo)體氧化物緩沖層的PVD法制備[D];清華大學(xué);2013年

9 尹伊;鐵電薄膜生長及器件制備工藝的研究[D];浙江大學(xué);2011年

10 程飛;MoO_3作為陽極緩沖層的聚合物太陽能電池的研究[D];武漢大學(xué);2014年

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1 周濤;基于乳酸體系CSD快速制備GdBiO_3緩沖層的工藝及其機(jī)理研究[D];西南交通大學(xué);2015年

2 何志娟;功能化的納米ZnO作為陰極緩沖層在聚合物太陽能電池中的應(yīng)用[D];南昌大學(xué);2015年

3 劉穎;化學(xué)水浴法制備銅鋅錫硫太陽電池緩沖層及其性能研究[D];云南師范大學(xué);2015年

4 許文鵬;聚合物太陽能電池陰極緩沖層的退火工藝優(yōu)化和光學(xué)模擬[D];吉林大學(xué);2016年

5 劉華艷;以SrTiO_3為緩沖層的超晶格電解質(zhì)的制備及性能研究[D];內(nèi)蒙古大學(xué);2016年

6 楊潔;LiF緩沖層對基于酞菁銅二極管電存儲器的性能調(diào)控研究[D];南京郵電大學(xué);2016年

7 夏樹針;基于提高有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)光特性的研究[D];聊城大學(xué);2017年

8 陳艷麗;酞菁氯鋁緩沖層在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用[D];北京交通大學(xué);2010年

9 趙強(qiáng);退火條件及同質(zhì)緩沖層對生長ZnO薄膜特性的研究[D];西北師范大學(xué);2013年

10 侯捷;基于BST的多層薄膜及其可調(diào)器件的研究[D];上海交通大學(xué);2011年

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