【摘要】：采用Aixtron 2600G3MOCVD設(shè)備外延生長了GaAs/GaInP材料,并結(jié)合金相顯微鏡、X射線衍射儀以及二次離子質(zhì)譜儀系統(tǒng)地研究了摻雜源Te對GaInP外延層材料特性的影響。實(shí)驗發(fā)現(xiàn),Te會破壞GaInP外延層的表面形貌,在GaInP表面形成丘狀結(jié)構(gòu)及線條,且該丘狀結(jié)構(gòu)的尺寸隨著GaInP厚度的增加而逐漸增大。在摻雜濃度較高時,Te會破壞GaInP的晶格,造成晶格膨脹。GaInP中Te的并入效率隨著厚度的增加而增加,且摻雜濃度越高就越快趨于平穩(wěn)。此外,Te在As化物中的并入效率大于在P化物中的并入效率。
[Abstract]:GaAs/GaInP materials were grown by Aixtron 2600G3MOCVD equipment, and the effects of doping source Te on the properties of GaInP epitaxial layer were systematically studied by alloy phase microscope, X-ray diffractometer and secondary ion mass spectrometer. It is found that Te can destroy the surface morphology of GaInP epitaxial layer and form a mound structure and line on the surface of GaInP, and the size of the mound structure increases with the increase of GaInP thickness. When the doping concentration is high, Te will destroy the lattice of GaInP, resulting in lattice expansion. The incorporation efficiency of Te in GaInP increases with the increase of thickness, and the higher the doping concentration, the faster it tends to be stable. In addition, the incorporation efficiency of Te in As compounds is higher than that in Pcompounds.
【作者單位】： 廈門乾照光電股份有限公司;
【基金】：國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃(863計劃)資助項目(2011AA050512)
【分類號】：TN304.2

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