【摘要】：光導(dǎo)開關(guān)(photoconductive semiconductor switches,PCSS)的損傷分為熱擊穿和電擊穿,2種擊穿的原因都由開關(guān)基底材料陷阱特性決定,因此對芯片擊穿機理與開關(guān)制作工藝關(guān)系的研究非常重要。文章依據(jù)開關(guān)芯片的材料特性和半導(dǎo)體工藝知識,研究和分析了光導(dǎo)開關(guān)的擊穿機理以及開關(guān)擊穿可能存在的工藝問題。
[Abstract]:The damage of photoconductive switch (photoconductive semiconductor switches,PCSS is divided into thermal breakdown and electric breakdown. The reasons for the two kinds of breakdown are determined by the trap characteristics of the switch substrate material, so it is very important to study the relationship between the breakdown mechanism of the chip and the fabrication process of the switch. Based on the material characteristics of the switch chip and the knowledge of semiconductor technology, the breakdown mechanism of the photoconductive switch and the possible technological problems of the switch breakdown are studied and analyzed in this paper.
【作者單位】： 合肥工業(yè)大學(xué)電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院;
【基金】：合肥工業(yè)大學(xué)產(chǎn)學(xué)研校企合作資助項目(W2014JSF0299)
【分類號】：TN303

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