【摘要】：光導開關(photoconductive semiconductor switches,PCSS)的損傷分為熱擊穿和電擊穿,2種擊穿的原因都由開關基底材料陷阱特性決定,因此對芯片擊穿機理與開關制作工藝關系的研究非常重要。文章依據(jù)開關芯片的材料特性和半導體工藝知識,研究和分析了光導開關的擊穿機理以及開關擊穿可能存在的工藝問題。
[Abstract]:The damage of photoconductive switch (photoconductive semiconductor switches,PCSS is divided into thermal breakdown and electric breakdown. The reasons for the two kinds of breakdown are determined by the trap characteristics of the switch substrate material, so it is very important to study the relationship between the breakdown mechanism of the chip and the fabrication process of the switch. Based on the material characteristics of the switch chip and the knowledge of semiconductor technology, the breakdown mechanism of the photoconductive switch and the possible technological problems of the switch breakdown are studied and analyzed in this paper.
【作者單位】： 合肥工業(yè)大學電子科學與應用物理學院;
【基金】：合肥工業(yè)大學產(chǎn)學研校企合作資助項目(W2014JSF0299)
【分類號】：TN303

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本文編號：2498683