發(fā)布時間：2019-04-26 23:16

【摘要】：設計合成了一種側鏈含呋喃的可交聯(lián)共軛聚合物空穴傳輸材料聚{2,7-[9,9-二(6-(2-呋喃甲氧基)己基)芴]-共-4,4′-(4″-丁基)三苯胺}(P1)和側鏈含馬來酰亞胺的共軛小分子交聯(lián)劑N,N′-二[4-(6-馬來酰亞氨基己基)苯基]-N,N′-二苯基聯(lián)苯二胺(M1).基于呋喃和馬來酰亞胺間Diels-Alder反應,P1和M1共混膜可在150°C下熱處理快速交聯(lián)形成具有優(yōu)異抗溶劑性的薄膜,同時薄膜的光電性能可以通過控制P1和M1的共混比例進行有效調節(jié).器件研究結果表明,基于P1+M1交聯(lián)的薄膜表現(xiàn)出了優(yōu)異的空穴傳輸、電子阻擋性質,應用于聚合物發(fā)光二極管時可有效避免由傳統(tǒng)空穴傳輸材料聚3,4-亞乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)作為單一界面層引起的發(fā)光淬滅現(xiàn)象,使相應器件性能得到大幅提升.當M1添加量為10%時,相關器件表現(xiàn)出了最佳的器件性能,器件的最大電流效率為9.0 cd A~(-1),最大亮度為35681 cd m~(-2),啟亮電壓為3.2 V.
[Abstract]:A kind of crosslinked conjugated polymer hole transport material containing furan was designed and synthesized. Poly {2,7-[9,9-bis (6-(2-(2-furyl methoxy) hexyl) fluorene]-total-4,4-(4 "- Ding Ji) triphenylamine} (4"-Ding Ji) triphenylamine} (2-[9,9-bis (6-(2-furyl methoxy) hexyl) fluorene]-total P1) and side chain conjugated small molecular crosslinker N containing maleimide, N-di-[4-(6-maleimino-hexyl) phenyl]-N, N-diphenyl-biphenylenediamine (M1). Based on the Diels-Alder reaction between furan and maleimide, P1 and M1 blend films can be rapidly crosslinked at 150 擄C to form excellent solvent-resistant films. At the same time, the photoelectric properties of the films can be effectively adjusted by controlling the blending ratio of P1 and M1. The results show that the films based on P1M1 crosslinked exhibit excellent hole transport and electron barrier properties. When applied to polymer light emitting diodes, the luminescence quenching caused by the traditional hole transport material poly (3,4-ethylene oxide thiophene / polystyrene sulfonic acid) (PEDOT:PSS) as a single interface layer can be effectively avoided. The performance of the corresponding devices is greatly improved. When the addition of M1 is 10%, the device has the best performance. The maximum current efficiency of the device is 9.0 cd A ~ (- 1), the maximum brightness is 35681 cd m ~ (- 2), and the switching voltage is 3.2V.The maximum current efficiency of the device is 9.00 cd A ~ (- 1), the maximum brightness is 35681 cd m ~ (- 2).
【作者單位】： 華南理工大學高分子光電材料及器件研究所發(fā)光材料與器件國家重點實驗室;
【基金】：廣東省科技項目(項目號2014B090914002)資助
【分類號】：TN312.8

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本文編號：2466477