【摘要】：在SOI襯底上,制作了一種基于陽(yáng)極弱反型層消除負(fù)阻效應(yīng)的新型橫向絕緣柵雙極晶體管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值電阻來(lái)使PN結(jié)陽(yáng)極快速導(dǎo)通,陽(yáng)極P+區(qū)中的空穴可以更快地注入漂移區(qū),從而消除負(fù)阻效應(yīng)。仿真結(jié)果表明,該新型LTGBT在保證關(guān)斷速度不變的情況下,擊穿電壓為307V(漂移區(qū)長(zhǎng)度為18μm)比,比常規(guī)SA-LIGBT提升了56%,并消除了負(fù)阻效應(yīng)。
[Abstract]:A new type of transverse insulated gate bipolar transistor (SOI AWIL-LIGBT) based on anode weak inversion layer is fabricated on SOI substrate. By using the high resistance formed by the inversion, the anode of the PN junction can be switched on rapidly, and the hole in the P region of the anode can be injected into the drift region more quickly, thus eliminating the negative resistance effect. The simulation results show that the breakdown voltage of the new LTGBT is 307V (the length of drift region is 18 渭 m), which is 56% higher than that of conventional SA-LIGBT, and the negative resistance effect is eliminated.
【作者單位】： 南京郵電大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院射頻集成與微組裝技術(shù)國(guó)家地方聯(lián)合工程實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61274080)
【分類號(hào)】：TN322.8

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本文編號(hào)：2456500