【摘要】：利用計(jì)算機(jī)模擬仿真技術(shù)對(duì)適用于生長(zhǎng)18英寸直拉單晶硅的40英寸熱場(chǎng)在水平磁場(chǎng)下的生長(zhǎng)工藝進(jìn)行三維模擬仿真計(jì)算,重點(diǎn)分析了不同強(qiáng)度水平磁場(chǎng)作用下熔體和晶體中的溫度場(chǎng)分布、熔體中流場(chǎng)的變化及其對(duì)晶體生長(zhǎng)固/液界面形狀的影響及其變化規(guī)律,并進(jìn)一步研究了不同水平磁場(chǎng)強(qiáng)度對(duì)熔體和晶體中氧雜質(zhì)含量分布影響。數(shù)值模擬計(jì)算結(jié)果表明:由于外加水平磁場(chǎng)的引入,熔體的流動(dòng)呈現(xiàn)完全的三維、非對(duì)稱特點(diǎn),從而導(dǎo)致熔體內(nèi)的溫度場(chǎng)、氧雜質(zhì)的分布呈現(xiàn)明顯的三維非對(duì)稱特性;水平磁場(chǎng)強(qiáng)烈影響固/液生長(zhǎng)界面下熔體的流動(dòng)特性,從而顯著影響熔體的固/液生長(zhǎng)界面形狀及氧雜質(zhì)傳輸過(guò)程。
[Abstract]:The technology of computer simulation and simulation is used to simulate the growth process of 40-inch thermal field suitable for the growth of 18-inch Czochralski monocrystalline silicon in a horizontal magnetic field. The distribution of temperature field in melt and crystal under the action of horizontal magnetic field of different intensity, the change of flow field in melt and its influence on the shape of solid-liquid interface of crystal growth are analyzed emphatically. The influence of different horizontal magnetic field intensity on the distribution of oxygen impurities in melt and crystal was further studied. The numerical simulation results show that due to the introduction of the external horizontal magnetic field, the melt flow presents complete three-dimensional, asymmetric characteristics, which results in the temperature field in the melt and the distribution of oxygen impurities showing obvious three-dimensional asymmetric characteristics. The horizontal magnetic field strongly affects the flow characteristics of the melt at the solid-liquid growth interface, thus significantly affects the shape of the solid-liquid growth interface and the oxygen impurity transport process of the melt.
【作者單位】： 上海大學(xué)省部共建高品質(zhì)特殊鋼冶金與制備國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(51401116,51404148) 上海市科委基金項(xiàng)目(13DZ1108200,13521101102)資助
【分類號(hào)】：TN304.12

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2450541