【摘要】：利用計算機模擬仿真技術對適用于生長18英寸直拉單晶硅的40英寸熱場在水平磁場下的生長工藝進行三維模擬仿真計算,重點分析了不同強度水平磁場作用下熔體和晶體中的溫度場分布、熔體中流場的變化及其對晶體生長固/液界面形狀的影響及其變化規(guī)律,并進一步研究了不同水平磁場強度對熔體和晶體中氧雜質含量分布影響。數值模擬計算結果表明:由于外加水平磁場的引入,熔體的流動呈現完全的三維、非對稱特點,從而導致熔體內的溫度場、氧雜質的分布呈現明顯的三維非對稱特性;水平磁場強烈影響固/液生長界面下熔體的流動特性,從而顯著影響熔體的固/液生長界面形狀及氧雜質傳輸過程。
[Abstract]:The technology of computer simulation and simulation is used to simulate the growth process of 40-inch thermal field suitable for the growth of 18-inch Czochralski monocrystalline silicon in a horizontal magnetic field. The distribution of temperature field in melt and crystal under the action of horizontal magnetic field of different intensity, the change of flow field in melt and its influence on the shape of solid-liquid interface of crystal growth are analyzed emphatically. The influence of different horizontal magnetic field intensity on the distribution of oxygen impurities in melt and crystal was further studied. The numerical simulation results show that due to the introduction of the external horizontal magnetic field, the melt flow presents complete three-dimensional, asymmetric characteristics, which results in the temperature field in the melt and the distribution of oxygen impurities showing obvious three-dimensional asymmetric characteristics. The horizontal magnetic field strongly affects the flow characteristics of the melt at the solid-liquid growth interface, thus significantly affects the shape of the solid-liquid growth interface and the oxygen impurity transport process of the melt.
【作者單位】： 上海大學省部共建高品質特殊鋼冶金與制備國家重點實驗室;
【基金】：國家自然科學基金項目(51401116,51404148) 上海市科委基金項目(13DZ1108200,13521101102)資助
【分類號】：TN304.12

【參考文獻】

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【共引文獻】

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本文編號：2450541