【摘要】：通過在寬區(qū)GaSb基半導體激光器波導中引入魚骨型微結構,實現(xiàn)了瓦級激光輸出并且改善了側向發(fā)散角.本文通過分析微結構的刻蝕深度對激光功率和遠場特性的影響,研究并發(fā)現(xiàn)了微結構的引入可以明顯的提高激光器輸出功率,同時深刻蝕的微結構對降低模式數(shù)和側向發(fā)散角有著更明顯的改善作用.相比于未引入微結構的激光器,引入深刻蝕微結構的寬區(qū)激光器側向95%功率定義的遠場發(fā)散角降低了大約57%,并且實現(xiàn)了超過1.1 W的最大連續(xù)輸出功率.
[Abstract]:The output of W-level laser is realized and the lateral divergence angle is improved by introducing the fish bone microstructure into the waveguide of GaSb-based semi-conductor laser in the wide region. In this paper, the influence of etching depth of microstructure on laser power and far-field characteristics is analyzed, and it is found that the introduction of microstructure can obviously improve the output power of laser. At the same time, the deep etched microstructure can improve the mode number and lateral divergence angle more obviously. Compared with the laser without microstructure, the far-field divergence angle defined by 95% lateral power of the wide-area laser with deep etching microstructure is reduced by 57%, and the maximum continuous output power of more than 1.1 W is achieved.
【作者單位】： 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所;中國科學院大學;中國科學院半導體研究所;
【基金】：Supported by National Natural Science Foundation of China(61404138,61474119,61435012) the National Basic Research Program of China(2013CB64390303) Jilin Provincial Natural Science Foundation(20160101243JC and 20150520105JH) the International Science Technology Cooperation Program of China(2013DFR00730)
【分類號】：TN248.4

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本文編號：2441101