發(fā)布時(shí)間：2019-03-07 19:03

【摘要】：TaN由于其良好的性能廣泛用于布線銅與介質(zhì)之間的阻擋層和黏附層。在對(duì)直徑為300 mm的TaN鍍膜片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)后,對(duì)比并分析了兩種堿性拋光液對(duì)TaN去除速率、片內(nèi)非均勻性、去除速率選擇性和表面粗糙度的影響。結(jié)果表明,經(jīng)過自主研發(fā)且不含氧化劑的堿性阻擋層拋光液拋光后,TaN的去除速率為40.1 nm/min,片內(nèi)非均勻性為3.04%,介質(zhì)、TaN與Cu的去除速率之比為1.69∶1.26∶1,中心、中間以及邊緣的表面粗糙度分別為0.371,0.358和0.366 nm。與商用拋光液拋光結(jié)果相比,雖然采用自主研發(fā)的拋光液拋光的去除速率低,但片內(nèi)非均勻性以及選擇性均滿足商用要求,且拋光后TaN表面粗糙度小,易清洗,無顆粒沾污。綜合實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,自主研發(fā)的高性能堿性拋光液對(duì)TaN鍍膜片具有良好的拋光效果,適合工業(yè)生產(chǎn)。
[Abstract]:TaN is widely used in barrier layer and adhesion layer between copper and medium because of its good performance. The effects of two kinds of alkaline polishing solution on TaN removal rate, in-chip heterogeneity, removal rate selectivity and surface roughness were compared and analyzed after chemical mechanical polishing (CMP) of TaN film with diameter of 300 mm. The results show that after polishing with self-developed alkaline barrier without oxidizer, the removal rate of TaN is 3.04% and the inhomogeneity of 40.1 nm/min, is 3.04%. The removal rate of TaN to Cu was 1.69 脳 1.26 nm., the surface roughness of the center, middle and edge was 0.371, 0.358 and 0.366 nm., respectively, and the surface roughness of the center, the middle and the edge were 0.371, 0.358 and 0.366 nm. respectively. Compared with the commercial polishing results, although the polishing solution developed by ourselves has a low removal rate, the in-chip non-uniformity and selectivity meet the commercial requirements, and the surface roughness of TaN after polishing is small, easy to clean and free of particle contamination. The experimental results show that the self-developed alkaline polishing solution has a good polishing effect on TaN film and is suitable for industrial production.
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院;天津市電子材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國家科技重大專項(xiàng)資助項(xiàng)目(2016ZX02301003-004-007) 河北省青年自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(F2015202267) 河北省研究生創(chuàng)新資助項(xiàng)目(220056) 天津市自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(16JCYBJC16100) 河北工業(yè)大學(xué)優(yōu)秀青年科技創(chuàng)新基金資助項(xiàng)目(2015007)
【分類號(hào)】：TN405

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 劉金玉;劉玉嶺;項(xiàng)霞;邊娜;;磨料對(duì)藍(lán)寶石襯底去除速率的影響[J];半導(dǎo)體技術(shù);2010年11期

2 蔡婷;劉玉嶺;王辰偉;牛新環(huán);陳蕊;高嬌嬌;;TSV Cu CMP堿性拋光液及工藝[J];微納電子技術(shù);2013年11期

3 王辰偉;劉玉嶺;蔡婷;馬鎖輝;曹陽;高嬌嬌;;多羥多胺在TSV銅膜CMP中的應(yīng)用研究[J];功能材料;2013年24期

4 高嬌嬌;劉玉嶺;王辰偉;曹陽;陳蕊;蔡婷;;磷酸作為pH調(diào)節(jié)劑在阻擋層拋光過程中的應(yīng)用[J];微納電子技術(shù);2013年11期

5 蔣勐婷;劉玉嶺;王辰偉;袁浩博;陳國棟;劉偉娟;;稀釋倍數(shù)對(duì)弱堿性銅粗拋液性能的影響[J];微納電子技術(shù);2014年04期

6 潘章杰;馮玢;王磊;郝建民;;SiC(0001)面和(000-1)面CMP拋光對(duì)比研究[J];電子工業(yè)專用設(shè)備;2013年04期

7 蔡婷;劉玉嶺;王辰偉;陳蕊;高嬌嬌;;弱堿性多羥多胺拋光液穩(wěn)定性[J];微納電子技術(shù);2013年12期

8 張曉強(qiáng);劉玉嶺;王辰偉;楊立兵;;磷酸和酒石酸在GSI阻擋層CMP拋光液中的應(yīng)用[J];半導(dǎo)體技術(shù);2012年03期

9 尹康達(dá);王勝利;劉玉嶺;王辰偉;岳紅維;鄭偉艷;;銅CMP中溫度與質(zhì)量傳遞對(duì)速率均勻性的影響[J];半導(dǎo)體技術(shù);2012年10期

10 劉玉嶺;;硅片CMP拋光工藝技術(shù)研究[J];電子工藝技術(shù);2010年05期

相關(guān)會(huì)議論文 前2條

1 王志芳;;晶片研磨速率及損傷層的研究[A];2006年全國光電技術(shù)學(xué)術(shù)交流會(huì)會(huì)議文集（E 光電子器件技術(shù)專題）[C];2006年

2 檀柏梅;牛新環(huán);時(shí)慧玲;劉玉嶺;崔春翔;;納米磨料在二氧化硅介質(zhì)CMP中的作用分析[A];第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集（2）[C];2007年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前8條

1 張濤峰;ZnO光電功能薄膜材料的CMP研究[D];天津理工大學(xué);2012年

2 劉蘋;堿性拋光液對(duì)銅平坦化的影響研究[D];清華大學(xué);2009年

3 馮玉林;HfO_x鑲嵌結(jié)構(gòu)的CMP及其機(jī)理研究[D];天津理工大學(xué);2015年

4 張玉峰;GLSI多層銅布線阻擋層CMP及其后清洗表面粗糙度的研究[D];河北工業(yè)大學(xué);2015年

5 那冉;激光拋光38CrMoAl的工藝研究[D];北京工業(yè)大學(xué);2015年

6 唐兵;一種電子裝備表面粗糙度的重構(gòu)方法研究[D];西安電子科技大學(xué);2015年

7 付移風(fēng);基于免疫記憶的表面粗糙度濾波算法研究[D];寧波大學(xué);2010年

8 蔣紅陽;數(shù)字式光切顯微系統(tǒng)的研究[D];華中科技大學(xué);2011年

，

本文編號(hào)：2436367