【摘要】：提出了一種基于負(fù)阻退化技術(shù)的2.4 GHz高線性亞閾值混頻器,該混頻器相對(duì)于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)而言,增加了兩個(gè)交叉耦合電容。由于該結(jié)構(gòu)的內(nèi)部負(fù)阻退化技術(shù)抵消了寄生電容,因而降低了寄生電容對(duì)增益和線性度的影響,改善了增益和線性度。采用基于Volterra級(jí)數(shù)的小信號(hào)模型,分析交叉耦合電容對(duì)于輸入三階交調(diào)點(diǎn)IIP_3和增益的影響。分析表明該方法確實(shí)能夠改善IIP_3性能。采用TSMC 0.13μm CMOS工藝進(jìn)行設(shè)計(jì)并流片,該芯片大小為0.22 mm×0.2 mm。芯片測(cè)試結(jié)果表明,該混頻器在2.1 mW功耗的情況下,獲得了13.4 dB的增益,并且IIP_3高達(dá)5.4 dBm。
[Abstract]:A 2.4 GHz high linear subthreshold mixer based on negative resistance degradation technique is proposed. Compared with the traditional structure, two cross coupled capacitors are added to the mixer. Because the internal negative resistance degradation technique of the structure counteracts the parasitic capacitance, the influence of the parasitic capacitance on the gain and linearity is reduced, and the gain and linearity are improved. A small signal model based on Volterra series is used to analyze the influence of cross-coupled capacitance on the input third-order intermodulation point IIP_3 and gain. The analysis shows that this method can improve the performance of IIP_3. The chip was designed by TSMC 0.13 渭 m CMOS process. The chip size is 0.22 mm 脳 0.2 mm.. The chip test results show that the mixer has a gain of 13.4 dB at 2.1 mW power consumption and a IIP_3 of up to 5.4 dBm..
【作者單位】： 許昌學(xué)院電氣(機(jī)電)工程學(xué)院;
【基金】：河南省教育廳科學(xué)技術(shù)研究重點(diǎn)項(xiàng)目(16A413013) 河南省科技攻關(guān)項(xiàng)目(172102210465) 許昌市科技發(fā)展計(jì)劃項(xiàng)目(1502094) 許昌學(xué)院優(yōu)秀青年骨干教師資助項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TN773

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本文編號(hào)：2432062