發(fā)布時(shí)間：2019-01-30 13:54

【摘要】：針對(duì)大光腔結(jié)構(gòu)往往導(dǎo)致閾值電流密度增大的矛盾,設(shè)計(jì)了一種具有較高勢(shì)壘高度的三量子阱有源區(qū)。采用非對(duì)稱寬波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器,該激光器在實(shí)現(xiàn)大光腔結(jié)構(gòu)的同時(shí)保持閾值電流密度不增加。通過(guò)金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)生長(zhǎng)InGaAs/AlGaAs三量子阱有源區(qū)以及3.6μm超大光腔半導(dǎo)體激光器的外延結(jié)構(gòu)。結(jié)合后期工藝,制備了980nm脊形邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器。在未鍍膜情況下,4mm腔長(zhǎng)半導(dǎo)體激光器閾值電流為1105.5mA,垂直發(fā)散角為15.6°,注入電流為25A時(shí)的最大輸出功率可達(dá)到15.9 W。測(cè)試結(jié)果表明:所設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體激光器在有效地拓展光場(chǎng),實(shí)現(xiàn)大光腔結(jié)構(gòu)的同時(shí),保證了激光器具有較低的閾值電流。
[Abstract]:In view of the contradiction that the threshold current density is often increased due to the large optical cavity structure, a three-quantum well active region with high barrier height is designed. A semiconductor laser with asymmetric wide waveguide structure is used to realize the large optical cavity structure without increasing the threshold current density. The epitaxial structures of InGaAs/AlGaAs three-quantum well active region and 3.6 渭 m ultra-large optical cavity semiconductor laser are grown by metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD). 980nm ridged edge-emitting semiconductor lasers were fabricated by the later process. Without coating, the threshold current of 4mm cavity long semiconductor laser is 1105.5 Ma, the vertical divergence angle is 15.6 擄, and the maximum output power is 15.9 W when the injection current is 25A. The test results show that the designed semiconductor laser can effectively expand the light field and realize the large optical cavity structure, and at the same time ensure the low threshold current of the laser.
【作者單位】： 北京工業(yè)大學(xué)光電子技術(shù)省部共建教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(11204009) 北京市教委創(chuàng)新能力提升計(jì)劃(TJSHG201310005001) 北京市自然科學(xué)基金(4142005)
【分類號(hào)】：TN248.4

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