發(fā)布時間：2019-01-10 20:25

【摘要】：碲化鉍基熱電半導體是中低溫區(qū)高性能熱電轉換材料,在微電子、計算機以及航天等領域廣泛用于局部致冷與精確溫控,在工業(yè)余廢熱回收溫差發(fā)電等領域具有良好的應用前景。通過合金化和摻雜的方法,可以增強聲子散射降低晶格熱導率,優(yōu)化載流子濃度提高電性能,從而提高碲化鉍基材料的熱電性能。在簡述碲化鉍晶體結構和能帶結構基礎上,綜述了合金化和摻雜提高碲化鉍基半導體的熱電性能、碲化鉍基半導體晶體生長的方法及空間微重力對碲化鉍基晶體區(qū)熔生長的影響,并展望了利用天宮二號空間實驗室開展碲化鉍基晶體生長及其相關研究。
[Abstract]:Bismuth telluride based thermoelectric semiconductor is a high performance thermoelectric conversion material in medium and low temperature region. It is widely used in local cooling and precise temperature control in the fields of microelectronics, computer and spaceflight, etc. It has a good application prospect in industrial waste heat recovery, temperature difference power generation and other fields. By alloying and doping, the phonon scattering can be enhanced to reduce the lattice thermal conductivity, the carrier concentration can be optimized and the electrical properties can be improved, thus the thermoelectric properties of bismuth telluride based materials can be improved. Based on a brief introduction of the crystal structure and energy band structure of bismuth telluride, alloying and doping to improve the thermoelectric properties of bismuth telluride based semiconductors are reviewed. The growth method of bismuth telluride based semiconductor crystal and the effect of space microgravity on the region melting growth of bismuth telluride crystal are discussed. The research on the growth of bismuth telluride based crystal and its related research using Tiangong 2 space laboratory are prospected.
【作者單位】： 中國科學院上海硅酸鹽研究所高性能陶瓷與超微結構國家重點實驗室;河海大學常州校區(qū)機電學院;
【基金】：中國載人空間站工程項目(TGJZ80701-2-RW024) 中國科學院空間科學戰(zhàn)略性先導科技專項(XDA04020202-11-1)
【分類號】：V524

【相似文獻】

相關會議論文 前4條

1 王為;黃慶華;賈法龍;;電沉積制備碲化鉍及過程分析[A];第五屆全國表面工程學術會議論文集[C];2004年

2 鄭俊輝;;碲化鉍基熱電發(fā)電材料及器件的產(chǎn)業(yè)化及其應用[A];2011中國材料研討會論文摘要集[C];2011年

3 曹衛(wèi)強;高俊嶺;張建中;;熱壓碲化鉍材料溫差發(fā)電組件的輸出特性研究[A];2011中國材料研討會論文摘要集[C];2011年

4 趙新兵;沈俊杰;尹振中;朱鐵軍;;熱鍛碲化鉍基塊體材料中的動態(tài)再結晶與織構變化[A];2011中國材料研討會論文摘要集[C];2011年

相關重要報紙文章 前1條

1 馮衛(wèi)東;科學家發(fā)現(xiàn)計算機芯片制造新材料[N];科技日報;2009年

相關博士學位論文 前1條

1 劉雨從;柔性碲化鉍薄膜的制備及其光電性質的研究[D];中國科學院上海技術物理研究所;2017年

相關碩士學位論文 前4條

1 劉志濤;碲化鉍納米材料的制備及電子結構和力學性質的模擬[D];哈爾濱工業(yè)大學;2016年

2 邢鈞;基于電化學沉積法的碲化鉍納米材料的可控制備與表征[D];華中科技大學;2015年

3 馬璐璐;碲化鉍及硫化鉍與抗生素協(xié)同抗耐藥菌作用研究[D];武漢工程大學;2016年

4 尹凱;Bi_2Te_3基納米材料的制備及電化學性能研究[D];天津大學;2016年

，

本文編號：2406750