【摘要】：報道了一種基于全息曝光技術實現(xiàn)的20波長分布反饋式(DFB)半導體激光器陣列。傳統(tǒng)的DFB半導體激光器光柵一般是利用電子束曝光的方式來實現(xiàn),這種方式精度較高,然而成本昂貴并且非常耗時,不適合大規(guī)模生產應用,而全息方式制作容易,成本很低,適合大規(guī)模生產應用。實驗結果表明,利用全息曝光技術實現(xiàn)的DFB激光器陣列具有良好的光電特性,激光器陣列的波長偏差在-0.5 nm至0.45 nm,閾值電流在13m A至17 m A,斜效率為0.4 W/A;50 m A偏置電流下,邊模抑制比都大于40 d B。
[Abstract]:A 20 wavelength distributed feedback (DFB) semiconductor laser array based on holographic exposure technique is reported. The traditional DFB semiconductor laser grating is usually realized by electron beam exposure, which has high precision, but it is expensive and time-consuming, so it is not suitable for mass production, and the holographic method is easy to fabricate, and the cost is very low. Suitable for mass production. The experimental results show that the DFB laser array realized by holographic exposure technique has good photoelectric characteristics, and the wavelength deviation of the laser array is from -0.5 nm to 0.45 nm, threshold current from 13 Ma to 17 Ma. The oblique efficiency is 0.4 W / A; At 50 Ma bias current, the side mode rejection ratio is more than 40 dB.
【作者單位】： 江蘇省郵電規(guī)劃設計院有限責任公司;
【分類號】：TN209

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本文編號：2401543