一種基于Pspice的IGBT模型
[Abstract]:The problems of voltage spike, current peak, turn-on time and turn-off time are important factors to evaluate the reliability of a device or even a power system device. Based on the dynamic characteristics, a (IGBT) model of insulated gate bipolar transistor based on Pspice is studied in this paper. Taking Trench-FS (Field-stop) type IGBT transistor KWBW25N120S1E2 as an example, the Pspice model parameters are obtained according to the structure and process parameters of the device. The simulation results of dual-pulse test show that the dynamic parameters of the device, such as turn-on delay, rise and turn off time and turn-off delay, are in good agreement with the measured data. Finally, the simulation results of the model applied to the actual welding machine are compared with the measured results, and the rationality and reliability of the model are further verified.
【作者單位】: 江南大學(xué)物聯(lián)網(wǎng)工程學(xué)院;江蘇中科君芯科技有限公司;
【基金】:江蘇省科技計劃項目(BE2016038)
【分類號】:TN322.8
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,本文編號:2401432
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