【摘要】：介紹了一種SiC基GaN激光劃片工藝。通過對劃痕形貌、裂片效果、熱效應和裝配適應性四方面的分析,在幾種氮化鎵激光劃片試驗中優(yōu)化得出高質量劃切工藝,并通過小批量生產證明新工藝在良率、效率方面有一定的優(yōu)勢。
[Abstract]:A SiC based GaN laser slicing process is introduced. Based on the analysis of scratch morphology, effect of split, thermal effect and assembly adaptability, the high quality cutting process was optimized in several gallium nitride laser slicing tests, and the yield of the new process was proved by small batch production. There are certain advantages in efficiency.
【作者單位】： 南京電子器件研究所;
【分類號】：TN305

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本文編號：2399968