【摘要】：對鍺和鍺化硅材料應(yīng)用及發(fā)展前景進行了簡單介紹。主要論述了在14 nm技術(shù)節(jié)點以下應(yīng)用于pMOS晶體管溝道材料的鍺的化學(xué)機械拋光(CMP)技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀,如拋光液組分的優(yōu)化以及工藝參數(shù)的革新,經(jīng)過CMP后,Ge的表面粗糙度可以有效降低到0.175 nm(10μm×10μm)。此外對在最新技術(shù)節(jié)點應(yīng)用于CMOS以及緩沖層的SiGe材料的CMP技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀進行了總結(jié)分析,通過淺溝道隔離技術(shù)以及使用優(yōu)化后的拋光液對Si_(0.5)Ge_(0.5)溝道材料進行化學(xué)機械拋光處理后的表面粗糙度為0.09 nm(1μm×1μm)。最后,對目前國內(nèi)外Ge和SiGe的CMP技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀進行了總結(jié),指出當(dāng)前CMP技術(shù)存在的問題并對其未來發(fā)展方向進行了展望。
[Abstract]:The application and development prospect of germanium and silicon germanide are briefly introduced. In this paper, the development status of chemical-mechanical polishing (CMP) technology of germanium used in pMOS transistor channel material under 14 nm technology node is discussed, such as the optimization of polishing liquid composition and the innovation of process parameters. After CMP, The surface roughness of Ge can be reduced to 0.175 nm (10 渭 m 脳 10 渭 m). In addition, the development status of CMP technology applied to CMOS and buffer layer SiGe materials at the latest technology nodes is summarized and analyzed. The surface roughness of Si_ (0.5) Ge_ (0.5) channel material was 0.09 nm (1 渭 m 脳 1 渭 m).) after chemical-mechanical polishing by means of shallow channel isolation technique and optimized polishing solution. Finally, this paper summarizes the development of CMP technology of Ge and SiGe at home and abroad, points out the problems existing in the current CMP technology and looks forward to the future development direction of CMP technology.
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)電子信息工程學(xué)院;天津市電子材料與器件重點實驗室;
【基金】：河北省高層次人才資助項目百人計劃項目(E2013100006)
【分類號】：TN305.2

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本文編號：2393627