【摘要】：為了探究缺陷對CdS納米帶性能產(chǎn)生的影響,本文通過簡單、易行的化學(xué)氣相沉積法(CVD)在硅基底上制備了CdS納米帶,將不同劑量的S離子注入到CdS納米帶中,并利用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)、光致發(fā)光(PL)、拉曼光譜(Raman)等分析樣品的晶體結(jié)構(gòu),進(jìn)一步通過光電性能的測試,研究S離子注入引入的缺陷對CdS納米帶性能產(chǎn)生的影響.結(jié)果表明,S離子注入引入的缺陷使CdS納米帶晶體質(zhì)量發(fā)生變化,導(dǎo)致S離子注入后CdS納米帶的激子發(fā)光峰減弱,缺陷發(fā)光峰增強(qiáng),并且它們之間的強(qiáng)度比隨著注入劑量的改變可以進(jìn)行調(diào)節(jié).最后,通過對單根CdS納米帶場效應(yīng)晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線進(jìn)行分析,證明了S離子注入引入的缺陷對CdS納米帶電學(xué)性能有較大影響,并進(jìn)一步分析討論了其對電學(xué)性能影響的機(jī)理.
[Abstract]:In order to investigate the effect of defects on the properties of CdS nanobelts, CdS nanobelts were prepared on silicon substrates by simple and easy chemical vapor deposition (CVD) method. Different doses of S ions were implanted into CdS nanobelts. The crystal structure of the samples was analyzed by scanning electron microscope (SEM), X) diffraction (XRD), photoluminescence (PL),) Raman spectroscopy (Raman), and the optical and electrical properties of the samples were further tested. The effects of defects introduced by S ion implantation on the properties of CdS nanobelts were investigated. The results show that the defects introduced by S ion implantation change the crystal quality of CdS nanobelts, resulting in the weakening of exciton emission peaks and the enhancement of defect luminescence peaks in CdS nanobelts after S ion implantation. And the intensity ratio between them can be adjusted with the dose of implantation. Finally, by analyzing the transfer characteristic curve of a single CdS nanbbon field-effect transistor, it is proved that the defects introduced by S ion implantation have a great influence on the CdS nano-charged properties. Furthermore, the mechanism of its influence on electrical properties is analyzed and discussed.
【作者單位】： 湖北工業(yè)大學(xué)太陽能高效利用湖北省協(xié)同創(chuàng)新中心;湖北工業(yè)大學(xué)綠色輕工材料湖北省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;湖北工業(yè)大學(xué)電氣與電子工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(11305056) 湖北省自然科學(xué)基金(2013CFB028) 太陽能高效利用湖北省協(xié)同創(chuàng)新中心開放基金(HBSKFM2014013)資助項(xiàng)目
【分類號】：TN304.25

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本文編號：2392238