【摘要】：通過(guò)計(jì)算機(jī)仿真模擬方法針對(duì)不同的頂側(cè)加熱器電阻比值進(jìn)行建模,研究其對(duì)晶體生長(zhǎng)過(guò)程的影響,結(jié)合生產(chǎn)實(shí)驗(yàn)來(lái)確定最佳電阻比值,與優(yōu)化過(guò)的鑄錠工藝進(jìn)行搭配,最終獲得了穩(wěn)定的較平微凸的固液界面,在長(zhǎng)晶過(guò)程中能夠很好地抑制坩堝側(cè)壁形核,得到垂直的柱狀晶結(jié)構(gòu),并有利于維持優(yōu)勢(shì)晶向和隨機(jī)晶界的比例。此外,本項(xiàng)目通過(guò)對(duì)頂側(cè)加熱器電阻比值的調(diào)整,改善了熔體流動(dòng)模式,有利于雜質(zhì)向硅錠邊部及外部輸運(yùn),減少了雜質(zhì)對(duì)多晶硅晶體品質(zhì)的負(fù)面影響。
[Abstract]:Through computer simulation method, the resistance ratio of different top side heaters is modeled, and the influence on the crystal growth process is studied. The optimum resistance ratio is determined by combining with the production experiment, which is matched with the optimized ingot technology. Finally, a stable, flat, slightly convex solid-liquid interface is obtained, which can restrain the nucleation of the side wall of the crucible, obtain the vertical columnar crystal structure and maintain the ratio of the dominant crystal direction to the random grain boundary in the long crystal process. In addition, by adjusting the resistance ratio of the top heater, the melt flow mode is improved, and the impurity is transported to the edge and outside of the silicon ingot, and the negative influence of impurity on the quality of polysilicon crystal is reduced.
【作者單位】： 英利能源有限公司;晶科能源有限公司;南昌大學(xué)材料學(xué)院;
【分類號(hào)】：TN304.12

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本文編號(hào)：2386517