利用掃描開爾文探針顯微鏡觀察薄膜光電器件能級排布
[Abstract]:The energy level structure of thin film optoelectronic devices directly determines the generation, separation, transmission, recombination and collection of carriers, and thus determines the performance of the devices. Therefore, it is an important scientific basis to understand the working mechanism of the device and to promote the technological innovation of the device by accurately obtaining the energy level structure of the device. This monograph systematically introduces the work of our team to characterize the interface energy level structure of thin film photovoltaic devices such as organic solar cells and organic-inorganic perovskite photodetectors by scanning Kelvin probe microscope (SKPM). The active material layer in vertical thin film devices is closed by the top electrode and the bottom electrode, so it is difficult to directly measure the interface energy level arrangement in the device operating condition. We have developed the cross section SKPM technology to solve this problem. It is shown that the interface layer is an important means to regulate the energy level structure, determine the device polarity and improve the device performance. The characterization techniques introduced in this paper are expected to be widely used in the research of thin film photovoltaic devices, such as photovoltaic devices, photodetectors, light-emitting diodes, especially various laminated devices.
【作者單位】: 中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所國際實驗室中國科學院納米科學卓越中心;中國科學院大學;中國科學技術(shù)大學化學系;
【基金】:國家自然科學基金(21625304,51473184,11504408) 中國科學技術(shù)部重點研發(fā)計劃(2016YFA0200703) 中國科學院科研裝備研制項目(YZ201654)資助~~
【分類號】:TN15
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7 莊佚n,
本文編號:2368843
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