【摘要】：本文基于分布式放大器原理,采用0.15um Ga As PHEMT低噪聲工藝技術(shù),研制了一款超寬帶低噪聲放大器單片電路。該款放大器選用7級(jí)分布式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),為了提高放大器的增益,每級(jí)由兩個(gè)晶體管組成共源共柵結(jié)構(gòu)。最終結(jié)果表明該放大器在0.5-18GHZ內(nèi),增益為18±1d B,噪聲系數(shù)小于3.5d B,輸入輸出駐波比小于-15d B,1d B壓縮點(diǎn)輸出功率大于18d Bm,芯片面積為2.6mm×1.4mm。
[Abstract]:Based on the principle of distributed amplifier and 0.15um Ga As PHEMT low noise technology, a monolithic circuit of UWB LNA is developed in this paper. In order to improve the gain of the amplifier, each stage consists of two transistors to form a common gate structure. The final results show that in 0.5-18GHZ, the gain is 18 鹵1dB, the noise coefficient is less than 3.5 dB, the input / output VSWR is less than -15 dB 1dB compression point and the output power is larger than 18d Bm, chip area is 2.6mm 脳 1.4mm.
【作者單位】： 電子科技大學(xué)極高頻復(fù)雜系統(tǒng)國(guó)防重點(diǎn)學(xué)科實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：中央高�；究蒲谢�(A03011023801006002)
【分類號(hào)】：TN722.3

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