發(fā)布時間：2018-11-26 08:39

【摘要】：本文基于單根ZnO納米線(NW),采用一步掩膜的方法制備了Au/ZnO NW/Au憶阻器。器件表現(xiàn)出無極性憶阻行為,開關(guān)比可達10~5以上。低阻態(tài)具有半導(dǎo)體導(dǎo)電特性,推測憶阻行為可能來源于ZnO NW表面氧空位形成的不連續(xù)導(dǎo)電絲的通斷。一步掩膜法工藝簡單,制備過程對器件污染少,因此是制備納米線器件的有效方法。
[Abstract]:In this paper, a single ZnO nanowire (NW), is used to fabricate the Au/ZnO NW/Au resistor by one step mask method. The device exhibits nonpolar amnesia with a switching ratio of more than 10 ~ 5. The low resistance state has the semiconductor conductive property. It is speculated that the amnesia behavior may come from the discontinuous conducting wire formed by the oxygen vacancy on the surface of ZnO NW. One-step mask method is an effective method for fabricating nanowire devices because of its simple process and less pollution.
【作者單位】： 浙江工業(yè)大學(xué)理學(xué)院;中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(51272261,61474127)
【分類號】：TN605

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本文編號：2357996