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電路拓撲對并聯(lián)大功率IGBT模塊影響的研究

發(fā)布時間:2018-11-25 08:46
【摘要】:為了增大單變流器的輸出電流和功率密度,絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)功率模塊往往被并聯(lián)使用。實際使用過程中電路拓撲結(jié)構(gòu)的不對稱對并聯(lián)模塊的均流特性有非常大的影響。研究了電路拓撲結(jié)構(gòu)對并聯(lián)模塊動靜態(tài)特性的影響,通過不同結(jié)構(gòu)布局的對比,分析了其對并聯(lián)IGBT功率模塊動靜態(tài)特性的影響。最后提出了在并聯(lián)IGBT模塊的輸出端采用耦合電感來實現(xiàn)動靜態(tài)均流的方法,與采用單獨電感相比,實驗驗證了此方法對并聯(lián)IGBT功率模塊的動靜態(tài)均流具有明顯的優(yōu)越性。
[Abstract]:In order to increase the output current and power density of single converter, insulated gate bipolar transistor (IGBT) power modules are often used in parallel. The asymmetry of circuit topology has great influence on the current sharing characteristics of parallel modules. The influence of circuit topology on the dynamic and static characteristics of parallel IGBT power modules is studied. Through the comparison of different configurations, the influence of topology on the dynamic and static characteristics of parallel IGBT power modules is analyzed. Finally, a method of using coupling inductors to realize static and dynamic current sharing at the output of parallel IGBT module is proposed. Compared with the single inductor, the method is proved to be superior to the static and static current sharing of parallel IGBT power modules.
【作者單位】: 中國礦業(yè)大學(xué)電氣與動力工程學(xué)院;
【分類號】:TM46;TN322.8

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本文編號:2355500

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