【摘要】：射頻可變增益放大器大多基于CMOS工藝和砷化鎵工藝,通過改變晶體管的偏置電壓或建立衰減器增益控制結(jié)構(gòu)實現(xiàn)增益可調(diào).本文采用高性能的射頻鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管,設(shè)計并制作了一款射頻可變增益放大器.放大器的增益可控性通過改變負(fù)反饋支路中PIN二極管的正向偏壓來實現(xiàn).基于帶有PIN二極管反饋的可變增益放大器的高頻小信號等效電路,本文詳細(xì)分析了增益可控機制,設(shè)計并制作完成了1.8GHz的可變增益放大器.測試結(jié)果表明在頻率為1.8GHz時,控制電壓從0.6V到3.0V的變化范圍內(nèi),增益可調(diào)范圍達(dá)到15d B;噪聲系數(shù)低于5.5d B,最小噪聲系數(shù)達(dá)到2.6d B.整個控制電壓變化范圍內(nèi)輸入輸出匹配均保持良好,線性度也在可接受范圍內(nèi).
[Abstract]:RF variable gain amplifiers are mostly based on CMOS process and gallium arsenide process. The gain can be adjusted by changing the bias voltage of the transistor or establishing the gain control structure of attenuator. A RF variable gain amplifier is designed and fabricated using high performance RF GE Si heterojunction bipolar transistor. The gain controllability of the amplifier is achieved by changing the forward bias of the PIN diode in the negative feedback branch. Based on the high-frequency small-signal equivalent circuit of the variable gain amplifier with PIN diode feedback, the gain controllable mechanism is analyzed in detail, and the variable gain amplifier of 1.8GHz is designed and fabricated. The results show that when the frequency is 1.8GHz, the gain adjustable range is 15 dB, the noise coefficient is lower than 5.5 dB, and the minimum noise coefficient is 2.6 dB in the range of control voltage from 0.6 V to 3.0 V. The input and output matching in the whole range of control voltage is good, and the linearity is in the acceptable range.
【作者單位】： 北京工業(yè)大學(xué)電子信息與控制工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(No.61006044) 北京市自然科學(xué)基金(No.4122014;No.4142007) 北京市教委科技發(fā)展計劃(No.KM200910005001) 山東省高等學(xué)校科技計劃項目(No.J13LN09)
【分類號】：TN722

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本文編號：2343386