【摘要】：隨著超大規(guī)模集成電路的快速發(fā)展,硅片表面的Haze值對于現(xiàn)代半導(dǎo)體器件工藝的影響也越來越受到人們的重視。通過實驗研究了精拋光工藝參數(shù)對硅片表面Haze值的影響規(guī)律。結(jié)果表明,隨著拋光時間的延長,硅的去除量逐漸增大,硅片表面Haze值逐漸降低;同時拋光過程中機(jī)械作用與化學(xué)作用的協(xié)同作用對Haze值也有較大影響。隨著拋光液溫度的降低與拋光液體積流量的減小,化學(xué)作用減弱,硅片表面Haze值逐漸減小。而隨著拋光壓力的增大,機(jī)械作用逐漸起主導(dǎo)作用,硅片表面Haze值逐漸降低。但當(dāng)Haze值降低到某一數(shù)值后,隨著硅去除量的增大、拋光液溫度的下降、拋光液體積流量的降低、拋光壓力的增大,硅片表面的Haze值基本保持不變。
[Abstract]:With the rapid development of VLSI, more and more attention has been paid to the influence of the Haze value on the modern semiconductor device process. The effect of finishing process parameters on the surface Haze value of silicon wafer was studied experimentally. The results show that with the prolongation of polishing time, the removal amount of silicon increases and the Haze value of silicon wafer decreases gradually, and the synergistic effect of mechanical and chemical action on Haze value is also significant. With the decrease of the polishing temperature and the volume flow of the polishing liquid, the chemical action is weakened, and the Haze value of the wafer surface decreases gradually. With the increase of polishing pressure, mechanical action gradually plays a leading role, and the Haze value of silicon wafer surface decreases gradually. However, when the Haze value is reduced to a certain value, with the increase of the silicon removal amount, the temperature of the polishing liquid, the volume flow rate of the polishing fluid and the polishing pressure increase, the Haze value on the surface of the silicon wafer remains basically unchanged.
【作者單位】： 有研半導(dǎo)體材料有限公司;
【基金】：國家科技重大專項資助項目(2008ZX02401)
【分類號】：TN305.2

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本文編號：2338705