【摘要】：使用分子動力學方法研究硅粒子注入技術。系統比較分析了團簇粒子的包含反射,擴散和植入基底在內的全部運動過程,同時使用可視化方法觀測記錄基底表面形貌演化過程。所建立模型直觀地顯示了低注入能量域內的新特征。注入過程中,團簇粒子由不同粒徑(數量)的硅原子組成。通過對粒徑變化在注入過程的影響研究揭示了注入技術機理。仿真結果表明提出方法可用于定量預測注入粒子表面分布。本文工作可作為原子尺度下生成基底表面特征或設計圖案的參考,并對可控表面沉積技術提供理論指導。
[Abstract]:Molecular dynamics method was used to study the silicon particle implantation technology. The whole motion process including reflection diffusion and implantation of the cluster particles is systematically analyzed and the evolution process of the surface morphology of the substrate is recorded by visualizing method. The established model visually shows the new features in the low injection energy domain. During the implantation process, the cluster particles are composed of silicon atoms with different particle sizes (quantities). The influence of particle size variation on the injection process was studied. The simulation results show that the proposed method can be used to quantitatively predict the surface distribution of injected particles. This work can be used as a reference for the generation of substrate surface characteristics or design patterns at atomic scale and provides theoretical guidance for controlled surface deposition techniques.
【作者單位】： 太原理工大學信息工程學院微納系統研究中心新型傳感器與智能控制系統重點實驗室;太原理工大學表面工程研究所;太原理工大學物理與光電工程學院;
【基金】：國家自然科學基金(51622507,61471255,61474079,61403273,51502193,61307006)
【分類號】：TN304.12

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本文編號：2335332