【摘要】：絕緣體上張應變鍺材料是通過能帶工程提高鍺材料光電性能得到的一種新型半導體材料,在微電子和光電子領域具有重要的應用前景。采用微電子技術中的圖形加工方法以及利用鍺濃縮的技術原理,在絕緣體上硅(SOI)材料上制備了絕緣體上張應變鍺材料。喇曼與室溫光致發(fā)光(PL)測試結果表明,不同圓形半徑的絕緣體上鍺材料張應變均為0.54%。對于絕緣體上張應變鍺材料,應變使其發(fā)光紅移的效果強于量子阱使其發(fā)生藍移的效果,總體將使絕緣體上張應變鍺材料的直接帶發(fā)光峰位紅移。同時0.54%張應變鍺材料的直接帶發(fā)光強度隨著圓形半徑的增大而減弱,這主要是因為圓形半徑大的樣品其晶體質量較差。該材料可進一步用于制備鍺微電子和光電子器件。
[Abstract]:Tensile strain germanium (GE) material on insulator is a new type of semiconductor material which can improve the photoelectric properties of germanium material by energy band engineering. It has an important application prospect in the field of microelectronics and optoelectronics. The tensile strain germanium material was prepared on silicon (SOI) material on insulator by using the graphic processing method of microelectronic technology and the principle of germanium concentration. Raman and room temperature photoluminescence (PL) measurements show that the tensile strain of germanium on insulators with different circular radius is 0.54. For the strained germanium material on insulator, the red shift effect of strain is stronger than that of quantum well, and the red shift of the direct band luminescence peak of the strained germanium material on insulator will be caused by the effect of blue shift of the strain germanium material on the insulator. At the same time, the direct band luminescence intensity of 0.54% strained germanium decreases with the increase of circular radius, which is mainly due to the poor crystal quality of samples with large circular radius. The material can be further used in the preparation of germanium microelectronic and optoelectronic devices.
【作者單位】： 福建工程學院信息科學與工程學院;福建工程學院軟件學院;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(61604041) 福建省自然科學基金資助項目(2016J05147) 福建工程學院科研基金資助項目(GY-Z14073)
【分類號】：TN304

【參考文獻】

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本文編號：2324380