【摘要】：基于硅基深反應(yīng)離子刻蝕、表面金屬化、熱壓金-金鍵合等微機電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical-systems,MEMS)加工工藝,并結(jié)合耦合系數(shù)設(shè)計方法,選用終端開路式交指結(jié)構(gòu),實現(xiàn)了一種應(yīng)用于C波段的自屏蔽式MEMS帶通濾波器.開發(fā)了該新型濾波器工藝加工流程,并基于高阻硅襯底成功實現(xiàn)了濾波器的制造和測試.測試結(jié)果表明,所制造的濾波器中心頻率為3.96GHz,頻率誤差為2.6%,通帶內(nèi)插入損耗約4dB,駐波比小于1.2,相對帶寬為20.7%,器件整體尺寸為7.0mm×7.8mm×0.8mm,器件質(zhì)量小于0.1g,具有尺寸小、重量輕、性能高、造價低、可批量生產(chǎn)、易于單片集成等顯著優(yōu)點,適應(yīng)了微波毫米波電路對于濾波器件小型化、輕質(zhì)化、集成化發(fā)展的應(yīng)用要求.
[Abstract]:Based on the fabrication process of micro-electromechanical system (micro-electro-mechanical-systems,MEMS) such as deep reactive ion etching, surface metallization, hot pressing gold-gold bonding and coupling coefficient design, the open circuit interDigital structure is selected. A self-shielded MEMS bandpass filter applied in C-band is implemented. The process flow of the new filter is developed, and the fabrication and testing of the filter based on high resistance silicon substrate are successfully realized. The test results show that the center frequency of the filter is 3.96 GHz, the frequency error is 2.6, the insertion loss in pass band is about 4 dB, the VSWR is less than 1.2, the relative bandwidth is 20.7mm, the overall size of the device is 7.0mm 脳 7.8mm 脳 0.8mm. The device has the advantages of small size, light weight, high performance, low cost, batch production, easy to integrate with single chip and so on. It adapts to the miniaturization and lightness of microwave millimeter wave circuit for filter parts. Application requirements of integrated development.
【作者單位】： 北京理工大學(xué)信息與電子學(xué)院;
【基金】：北京理工大學(xué)基礎(chǔ)研究基金資助項目(20130542015)
【分類號】：TN713.5

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本文編號：2320643