近年來,隨著CMOS工藝技術(shù)和集成設(shè)計水平的不斷進(jìn)步,CMOS圖像傳感器憑借其低成本、低功耗、讀取速度快、易于單片集成等優(yōu)點,得到迅猛的發(fā)展,并在許多的固態(tài)成像領(lǐng)域取得廣泛的應(yīng)用。目前,如何提高CMOS圖像傳感器的各項性能,滿足不同的用途成為了研究的熱點。本論文重點研究了CMOS圖像傳感器的模數(shù)轉(zhuǎn)換技術(shù),并在此基礎(chǔ)上提出了模數(shù)轉(zhuǎn)換的設(shè)計方案。在對方案精心設(shè)計和仿真后,得出了一些研究成果,為今后研制更高ADC性能的CMOS圖像傳感器奠定了基礎(chǔ)。圍繞這一主題,本文做了如下的研究工作:在廣泛閱讀調(diào)研國內(nèi)外相關(guān)文獻(xiàn)的基礎(chǔ)上,首先對CMOS圖像傳感器中ADC的基本工作原理、實現(xiàn)方式、種類、結(jié)構(gòu)以及國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀進(jìn)行了詳細(xì)的介紹。接著分析并對比了各類ADC的優(yōu)缺點,從CMOS圖像傳感器的系統(tǒng)要求出發(fā),設(shè)計了一種適用于CMOS圖像傳感器列級的10bit多路斜坡單斜ADC,詳細(xì)介紹了電路整體結(jié)構(gòu)、工作模式以及仿真結(jié)果。電路采用兩級轉(zhuǎn)換的方式,設(shè)計了電阻陣列式多路斜坡發(fā)生器、高速比較器。在Cadence設(shè)計平臺下對模擬電路進(jìn)行設(shè)計、仿真與版圖設(shè)計。電路采用0.5μm DPTM CMOS工藝制造。仿真結(jié)果表明,基本符合設(shè)計要求。
【學(xué)位授予單位】：中國科學(xué)院研究生院(上海技術(shù)物理研究所)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TP212;TN792

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本文編號：2311688