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松下開始量產(chǎn)GaN功率元件還提供驅(qū)動IC

發(fā)布時間:2018-10-25 11:48
【摘要】:正松下在慕尼黑電子展"electronica 2016"上,展示了GaN功率晶體管和該器件的應(yīng)用實例。同時宣布,將開始量產(chǎn)耐壓600V的GaN功率晶體管"PGA26E07BA"和"PGA26E19BA"。均采用8mm見方的DFN封裝。還將開始量產(chǎn)支持該晶體管的柵極驅(qū)動IC"AN34092B"。這是松下第一次量產(chǎn)GaN功率晶體管產(chǎn)品。該公司于2013年3月開始樣品供貨耐壓600V的GaN功率晶體管。此后不斷在功率電子及功率器件相關(guān)
[Abstract]:Panasonic demonstrated the GaN power transistor and its application at electronica 2016 at Munich Electronics Show. At the same time, it was announced that it would begin to mass-produce 600V GaN power transistors "PGA26E07BA" and "PGA26E19BA". All adopt 8mm square DFN package. It will also begin mass production of the gate drive IC "AN34092B" that supports the transistor. This is Panasonic's first mass production of GaN power transistor products. The company began supplying samples of GaN power transistors with withstand voltage 600 V in March 2013. Since then, power electronics and power devices have continued to be related
【分類號】:F416.6;TN323.4

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2 K.M.古^,

本文編號:2293618


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