【摘要】：本文采用Silvaco TCAD軟件對GaN基InGaN/GaN量子阱藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)的光譜特性進(jìn)行了仿真研究。研究結(jié)果表明:光譜會隨著注入電壓的增加而產(chǎn)生藍(lán)移現(xiàn)象,并出現(xiàn)0.365μm處的紫外光發(fā)光峰;發(fā)光效率在正向電流較小時增長很快,隨著正向電流進(jìn)一步增加而逐漸趨于飽和;隨著量子阱中In組分和量子阱阱層厚度的增加,發(fā)光光譜出現(xiàn)紅移現(xiàn)象,并且發(fā)光效率下降。仿真結(jié)果對GaN基InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)藍(lán)光LED的設(shè)計(jì)和優(yōu)化提供一定的依據(jù)。
[Abstract]:In this paper, the spectral characteristics of GaN based InGaN/GaN quantum well blue light emitting diodes (LED) are simulated by Silvaco TCAD software. The results show that the spectrum will blue shift with the increase of the injection voltage, and the UV luminescence peak at 0.365 渭 m will appear, and the luminescence efficiency will increase rapidly when the forward current is small, and gradually become saturated with the further increase of the forward current. With the increase of the In component and the thickness of the quantum well layer, the luminescence spectrum appears red-shift phenomenon and the luminescence efficiency decreases. The simulation results provide some basis for the design and optimization of blue-light LED based on GaN InGaN/GaN quantum well structure.
【作者單位】： 四川大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;微電子技術(shù)四川省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【分類號】：TN312.8

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本文編號：2289417