【摘要】：本文采用Silvaco TCAD軟件對(duì)GaN基InGaN/GaN量子阱藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)的光譜特性進(jìn)行了仿真研究。研究結(jié)果表明:光譜會(huì)隨著注入電壓的增加而產(chǎn)生藍(lán)移現(xiàn)象,并出現(xiàn)0.365μm處的紫外光發(fā)光峰;發(fā)光效率在正向電流較小時(shí)增長(zhǎng)很快,隨著正向電流進(jìn)一步增加而逐漸趨于飽和;隨著量子阱中In組分和量子阱阱層厚度的增加,發(fā)光光譜出現(xiàn)紅移現(xiàn)象,并且發(fā)光效率下降。仿真結(jié)果對(duì)GaN基InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)藍(lán)光LED的設(shè)計(jì)和優(yōu)化提供一定的依據(jù)。
[Abstract]:In this paper, the spectral characteristics of GaN based InGaN/GaN quantum well blue light emitting diodes (LED) are simulated by Silvaco TCAD software. The results show that the spectrum will blue shift with the increase of the injection voltage, and the UV luminescence peak at 0.365 渭 m will appear, and the luminescence efficiency will increase rapidly when the forward current is small, and gradually become saturated with the further increase of the forward current. With the increase of the In component and the thickness of the quantum well layer, the luminescence spectrum appears red-shift phenomenon and the luminescence efficiency decreases. The simulation results provide some basis for the design and optimization of blue-light LED based on GaN InGaN/GaN quantum well structure.
【作者單位】： 四川大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;微電子技術(shù)四川省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【分類號(hào)】：TN312.8

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 徐枝新,李明;對(duì)稱耦合量子阱能級(jí)特性研究與量子阱結(jié)構(gòu)優(yōu)化[J];浙江科技學(xué)院學(xué)報(bào);2005年02期

2 朱海娜;徐征;趙謖玲;張�？�;孔超;閆光;龔偉;;量子阱結(jié)構(gòu)對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件效率的影響[J];物理學(xué)報(bào);2010年11期

3 宋晶晶;張運(yùn)炎;趙芳;鄭樹文;范廣涵;;量子阱數(shù)量變化對(duì)InGaN/AlGaN LED的影響[J];發(fā)光學(xué)報(bào);2012年12期

4 李鵬;許麗萍;;基于在量子阱應(yīng)變下溫度對(duì)帶隙的影響[J];硅谷;2012年23期

5 熊家炯,朱嘉麟;半導(dǎo)體超晶格、量子阱材料的進(jìn)展[J];材料科學(xué)進(jìn)展;1990年02期

6 李淑芳;用于高速光開關(guān)的隧道雙極量子阱結(jié)構(gòu)[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;1991年02期

7 高琦,張勝坤,蔣最敏,陸f ;量子阱結(jié)構(gòu)的表面勢(shì)對(duì)導(dǎo)納譜測(cè)試結(jié)果的影響[J];物理學(xué)報(bào);2000年06期

8 趙德威;宋淑芳;徐征;;一種有機(jī)多層量子阱結(jié)構(gòu)能量轉(zhuǎn)移的研究[J];光子技術(shù);2006年03期

9 張立;;氮化物半導(dǎo)體耦合量子阱中非線性光整流特性:壓電效應(yīng)與自發(fā)極化效應(yīng)[J];發(fā)光學(xué)報(bào);2007年02期

10 宋淑芳;趙德威;徐征;徐敘tb;;有機(jī)多層量子阱的能量轉(zhuǎn)移[J];物理學(xué)報(bào);2007年06期

相關(guān)會(huì)議論文 前10條

1 寧永強(qiáng);孫艷芳;李特;秦莉;晏長(zhǎng)嶺;王超;劉云;王立軍;;周期增益量子阱大功率垂直腔面發(fā)射激光器[A];全國(guó)第十二次光纖通信暨第十三屆集成光學(xué)學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2005年

2 廖輝;陳偉華;李丁;李睿;楊志堅(jiān);張國(guó)義;胡曉東;;三元系和四元系GaN基量子阱結(jié)構(gòu)的顯微結(jié)構(gòu)研究[A];第十六屆全國(guó)半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2007年

3 朱巖;倪海橋;王海莉;賀繼方;李密峰;尚向軍;牛智川;;GaAs基異變量子阱[A];中國(guó)光學(xué)學(xué)會(huì)2010年光學(xué)大會(huì)論文集[C];2010年

4 李俊澤;陶岳彬;陳志忠;姜顯哲;付星星;王溯源;吳潔君;于彤軍;張國(guó)義;;低銦夾層對(duì)量子阱發(fā)光的影響研究[A];第十二屆全國(guó)MOCVD學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2012年

5 哈斯花;班士良;;應(yīng)變閃鋅礦(001)取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的壓力效應(yīng)[A];第十六屆全國(guó)半導(dǎo)體物理學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2007年

6 李弋;劉斌;謝自力;張榮;修向前;江若璉;韓平;顧書林;施毅;鄭有p，

本文編號(hào)：2289417