【摘要】：本文基于10rad/s的Co-60γ射線,針對(duì)3種不同結(jié)構(gòu)(基區(qū)面積和發(fā)射極周長面積比)的GLPNP晶體管,在不同溫度條件下(室溫、50℃、75℃、100℃、125℃、150℃、200℃)進(jìn)行了輻照試驗(yàn)。輻照前后測試了GLPNP雙極晶體管電性能,揭示了不同溫度條件下產(chǎn)生的氧化物俘獲正電荷和界面態(tài)的演化行為。試驗(yàn)結(jié)果表明,不同溫度條件下,由輻射導(dǎo)致的晶體管的電離損傷程度不同。相同γ輻射劑量下,當(dāng)溫度小于200℃時(shí),隨著溫度的升高,?(1/β)逐漸增加;但當(dāng)輻射溫度達(dá)到200℃時(shí),?(1/β)發(fā)生了降低�；贕ummel曲線的分析表明,不同溫度條件下?(1/β)的差異主要由基極電流的變化引起,與集電極電流基本無關(guān)。采用GS技術(shù)和SS技術(shù)表征GLPNP晶體管中的缺陷時(shí),這兩種技術(shù)能達(dá)到良好的一致性,且GS技術(shù)要比SS技術(shù)更直觀,計(jì)算更簡便。DLTS分析能夠準(zhǔn)確檢測界面態(tài)的演化,但尚不能檢測到淺能級(jí)的氧化物俘獲正電荷�；贕S技術(shù),SS技術(shù)和DLTS的測試分析表明:在室溫到200℃的溫度范圍內(nèi),氧化物俘獲正電荷隨輻射溫度的升高逐漸減少;輻射溫度小于200℃時(shí),界面態(tài)隨溫度的升高逐漸增加,但當(dāng)輻射溫度達(dá)到200℃時(shí),界面態(tài)的濃度發(fā)生了降低。這表明在室溫以上的各溫度下氧化物俘獲正電荷都存在退火效應(yīng),而界面態(tài)在達(dá)到200℃時(shí)才會(huì)明顯退火。由此可得,不同溫度條件下晶體管中產(chǎn)生的界面態(tài)陷阱是影響電流增益退化的主要因素。對(duì)比不同結(jié)構(gòu)的GLPNP晶體管的電性能和電離輻射缺陷可知,相同溫度條件下不同結(jié)構(gòu)的GLPNP晶體管的?(1/β)的差異是基極電流和集電極電流共同作用的結(jié)果。輻射溫度較低時(shí),以空間電荷區(qū)的復(fù)合占主導(dǎo),發(fā)射極周長面積比增大決定不同結(jié)構(gòu)的晶體管的?(1/β)的變化;輻射溫度升高后,空間電荷區(qū)的復(fù)合減弱,而中性基區(qū)的復(fù)合增強(qiáng),基區(qū)面積和發(fā)射極周長面積比共同作用使得不同結(jié)構(gòu)的晶體管的?(1/β)之間的差異減小。
[Abstract]:Based on 10rad/s Co-60 緯 rays, three kinds of GLPNP transistors with different structure (base area and emitter circumference area ratio) were irradiated at different temperatures (room temperature, 50 鈩，

本文編號(hào)：2285072