【摘要】：基于電容-電壓法(簡(jiǎn)稱(chēng)C-V法)來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體雜質(zhì)濃度分布,簡(jiǎn)單快速且不破壞樣品。為更快速、精確求得半導(dǎo)體雜質(zhì)濃度分布,利用Origin軟件繪出樣品的C-V曲線、1/C~2-V曲線的線性擬合,快速求出雜質(zhì)濃度、自建場(chǎng)及繪制相應(yīng)的雜質(zhì)濃度分布曲線。
[Abstract]:Based on the capacitance-voltage method (C-V method), the concentration distribution of semiconductor impurity is measured, which is simple and fast without destroying the sample. In order to obtain the distribution of semiconductor impurity concentration more quickly and accurately, the C-V curve of sample and the linear fitting of 1/C~2-V curve were plotted by Origin software, and the impurity concentration, self-built field and corresponding impurity concentration distribution curve were obtained quickly.
【作者單位】： 華南師范大學(xué);
【分類(lèi)號(hào)】：TN307

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本文編號(hào)：2283880