【摘要】：肖特基勢壘金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor,MOSFET)的電流一般需要通過載流子的費(fèi)米狄拉克分布對(duì)能量積分來計(jì)算或自洽迭代數(shù)值計(jì)算,為降低其復(fù)雜性,本文采用若干擬合參數(shù),考慮鏡像力勢壘降低效應(yīng)、偶極子勢壘降低效應(yīng)和小尺寸下量子化效應(yīng)對(duì)肖特基勢壘高度的影響,給出了環(huán)柵肖特基勢壘MOSFET一種新的解析電流模型。所提出的電流模型與文獻(xiàn)報(bào)道實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)符合較好,驗(yàn)證了模型的正確性,對(duì)環(huán)柵肖特基勢壘MOSFET器件以及電路設(shè)計(jì)提供了一定的參考價(jià)值.
[Abstract]:Schottky barrier metal-oxide semiconductor field effect transistors (Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor,MOSFET) generally need to calculate the current by the Fermi Dirac distribution of carriers or self-consistent iterative numerical calculations to reduce its complexity. In this paper, some fitting parameters are used to consider the effects of the lowering effect of mirror force barrier, the dipole barrier lowering effect and the quantization effect on Schottky barrier height under small size. A new analytical current model for ring gate Schottky barrier MOSFET is presented. The proposed current model is in good agreement with the experimental data reported in the literature, which verifies the correctness of the model and provides a certain reference value for the ring gate Schottky barrier MOSFET device and circuit design.
【作者單位】： 西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;北京精密機(jī)電控制設(shè)備研究所;
【分類號(hào)】：TN386

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本文編號(hào)：2274387