【摘要】：為了提高極坐標發(fā)射機可以支持的數(shù)據(jù)率,研究了寬帶開環(huán)相位調(diào)制器的實現(xiàn)技術(shù),并基于65nm CMOS工藝實現(xiàn)了該款開環(huán)相位調(diào)制器電路,其版圖面積僅為0.2μm~2,功耗為13mW,平均相位步長為0.703°,DNL為0.525LSB.
[Abstract]:In order to improve the data rate which can be supported by polar coordinate transmitter, the realization technology of wide-band open-loop phase modulator is studied, and the circuit of open-loop phase modulator is realized based on 65nm CMOS technology. Its layout area is only 0. 2 渭 m ~ 2, the power consumption is 13 MW, the average phase step is 0.703 擄, and the DNL is 0. 525 LSBs.
【作者單位】： 全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院;
【基金】：國家電網(wǎng)公司科技項目(SGRIDGKJ[2014]156號)
【分類號】：TN761

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本文編號：2274268