【摘要】：壓接式IGBT模塊具有散熱性能好、雜散電感小、短路失效直通等特點,在柔性直流輸電等大容量電力電子變換系統(tǒng)中具有極為重要的應用潛能。然而,目前學術界和工業(yè)界尚未很好地理解壓接式IGBT模塊的動態(tài)開關特性,嚴重制約了其推廣應用。從壓接式IGBT的封裝結構和電氣特性出發(fā),基于雙脈沖測試原理,設計并搭建壓接式IGBT模塊的動態(tài)開關特性測試平臺。采用Ansoft Q3D軟件對測試平臺的雜散參數進行仿真,分析雜散參數的分布特征、影響與提取方法,并通過實驗進行驗證,揭示疊層母排技術與吸收電容對器件關斷電壓尖峰的抑制作用,低寄生電感總和驗證了平臺設計方案的合理性。
[Abstract]:The voltage-connected IGBT module has the characteristics of good heat dissipation, small stray inductance, short circuit failure through and so on. It has very important application potential in large capacity power electronic transformation systems such as flexible direct current transmission. However, the dynamic switching characteristics of voltage-connected IGBT modules have not been well understood in academia and industry at present, which seriously restrict their popularization and application. Based on the encapsulation structure and electrical characteristics of IGBT, the dynamic switching characteristic test platform of IGBT module is designed and built based on the principle of double pulse testing. The stray parameters of the test platform are simulated by Ansoft Q3D software, and the distribution characteristics, influence and extraction methods of the stray parameters are analyzed and verified by experiments. The effect of stacking bus technology and absorption capacitance on switching off voltage spike of the device is revealed. The low parasitic inductance summation verifies the rationality of the platform design scheme.
【作者單位】： 浙江大學電氣工程學院;
【基金】：國家自然科學基金重大項目資助(51490682)
【分類號】：TN322.8

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本文編號：2253703