【摘要】：基于0.13μm CMOS工藝,設(shè)計(jì)了一種工作于K波段的低噪聲放大器。輸入匹配采用一種改良π型匹配網(wǎng)絡(luò),輸出匹配采用L+π型匹配網(wǎng)絡(luò),避免了電容擊穿的風(fēng)險(xiǎn)和源端大電感的引入。電路使用級(jí)間L型匹配的方式,利用第一級(jí)電路的輸出寄生電容和第二級(jí)電路的輸入寄生電容,有效地提高了電路的增益,降低了噪聲。仿真結(jié)果表明,該低噪聲放大電路為單電源1.5 V供電,在27 GHz頻率處的增益為27 d B,噪聲系數(shù)為3.75 d B,輸入回波損耗和輸出回波損耗分別為-11.1 d B和-20.5 d B。
[Abstract]:Based on 0.13 渭 m CMOS process, a K band low noise amplifier is designed. An improved 蟺 type matching network is used for input matching and L 蟺 matching network for output matching, which avoids the risk of capacitor breakdown and the introduction of large inductance at source. In the circuit, the output parasitic capacitance of the first stage circuit and the input parasitic capacitance of the second stage circuit are used to improve the gain of the circuit and reduce the noise. The simulation results show that the low noise amplifier is supplied by a single power supply of 1.5 V, the gain at 27 GHz frequency is 27 dB, the noise coefficient is 3.75 dB, the input echo loss and output echo loss are -11.1 dB and -20.5 dB, respectively.
【作者單位】： 武漢大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61204096,61404094) 中央高�；究蒲匈Y助項(xiàng)目(2042015kf0174,2042014kf0238) 中國(guó)博士后科學(xué)基金資助項(xiàng)目(2012T50688) 湖北省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(2014CFB694) 江蘇省科學(xué)基金資助項(xiàng)目(BK20141218)
【分類(lèi)號(hào)】：TN722.3

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