GaN基紫外探測(cè)器讀出電路注入效率
[Abstract]:The injection efficiency of readout circuit is an important factor to determine the performance of UV focal plane detector. Based on the equivalent model of the Ga N-base p-i-n solar blind ultraviolet detector and the CTIA readout circuit, the charge injection efficiency of the detector signal readout is analyzed, and the expression of the injection efficiency is obtained. The dependence between injection efficiency and integral time, detector equivalent resistance, detector equivalent junction capacitance and gain of operational amplifier in CTIA circuit is analyzed. It is pointed out that the gain of amplifier is one of the important controllable factors that affect the injection efficiency effectively. Greater injection efficiency can be achieved by increasing the gain. Several kinds of operational amplifier circuits with different gain are designed, and the readout circuits with CTIA structure are constructed respectively. The circuit layout is designed with GF 0.35 渭 m 2P4M standard CMOS process and the wafer is carried out. The UV detector is connected to the CTIA readout circuit with different amplifier gain and tested. By comparing the theoretical analysis results of injection efficiency with the actual test results, it can be known that, The theoretical analysis of the injection efficiency is in good agreement with the experimental results.
【作者單位】: 中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所傳感技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所紅外成像材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院大學(xué);
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金(61106097,61204134,11304335) 上海市自然科學(xué)基金(16ZR1441300)
【分類號(hào)】:TN23
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,本文編號(hào):2220296
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