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基于超表面的新型微電子器件

發(fā)布時(shí)間:2018-08-24 07:17
【摘要】:正借助人工構(gòu)建超表面,有望實(shí)現(xiàn)無半導(dǎo)體的微電子器件。由于現(xiàn)有微電子器件的性能受到其構(gòu)成材料——自然半導(dǎo)體的限制,加州大學(xué)圣地亞哥分校Dan Sievenpiper教授領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)提出了基于光電子發(fā)射的器件,并且制造了第一個(gè)光控微電子器件,該器件由人工構(gòu)建超表面而不是半導(dǎo)體組成,該超表面由平行金條陣列上的金蘑菇狀納米結(jié)構(gòu)陣列制成。當(dāng)這種由超材料組成的微電子器件被低電壓和低功率激光激活時(shí),可以增加1000%的導(dǎo)電率,從而有可能突破
[Abstract]:A research team led by Professor Dan Sievenpiper of the University of California, San Diego, has proposed a device based on optoelectronic emission and manufactured the first. An optically controlled microelectronic device consisting of an artificially constructed supersurface, not a semiconductor, made of a mushroom-like nanostructure array on a parallel gold strip array. When the device is activated by a low-voltage and low-power laser, the electrical conductivity of the device can be increased by 1000 percent, making a breakthrough possible.
【分類號(hào)】:TN60

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本文編號(hào):2200033

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