發(fā)布時間：2018-08-18 11:46

【摘要】：SiC材料由于具有優(yōu)良的物理化學性質(zhì)而在工程領域得到廣泛應用。但在輻照條件下,Frenkel缺陷勢必影響材料的宏觀性質(zhì)。尤其在核能工程領域,輻照無法避免,而傳熱性質(zhì)是材料的關鍵性質(zhì)之一。本文采用分子動力學方法模擬了SiC材料晶界導熱性質(zhì)在輻照缺陷存在條件下的變化規(guī)律。研究結(jié)果表明,晶界扭轉(zhuǎn)角度越大,界面能也越大,并且界面熱阻大致與界面能呈正比關系。輻照缺陷的存在使界面熱阻增加了一個數(shù)量級。聲子態(tài)密度分析結(jié)果表明,界面附近原子晶格失配程度增加是導致輻照后界面熱阻進一步增加的原因。
[Abstract]:SiC materials have been widely used in engineering field because of their excellent physical and chemical properties. However, under irradiation conditions, the Frenkel defects are bound to affect the macroscopic properties of the materials. Especially in the field of nuclear energy engineering, radiation is unavoidable, and heat transfer is one of the key properties of materials. In this paper, molecular dynamics method is used to simulate the variation of thermal conductivity at grain boundary of SiC materials under the condition of irradiation defects. The results show that the larger the angle of grain boundary torsion, the greater the interface energy, and the thermal resistance of the interface is proportional to the interface energy. The existence of irradiating defects increases the interfacial thermal resistance by an order of magnitude. The results of phonon density analysis show that the increase of lattice mismatch near the interface leads to the further increase of the thermal resistance of the interface after irradiation.
【作者單位】： 哈爾濱工程大學核科學與技術學院核安全與仿真技術國防重點學科實驗室;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(81300864,11505037)
【分類號】：TN304.24

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本文編號：2189370