【摘要】：基于TSMC 0.18μm CMOS工藝,設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種雙頻段低噪聲放大器(DB-LNA)。在輸入級中,采用了2個(gè)LC并聯(lián)諧振網(wǎng)絡(luò)串聯(lián)結(jié)構(gòu),結(jié)合PMOS管的源極負(fù)反饋電感,實(shí)現(xiàn)了DB-LNA在雙頻段的輸入阻抗匹配。在放大級中,采用CMOS互補(bǔ)共源放大結(jié)構(gòu)和電流復(fù)用技術(shù),在提高系統(tǒng)增益的同時(shí),實(shí)現(xiàn)了DB-LNA的低功耗。在輸出級中,采用NMOS晶體管作電流源的源跟隨器,對信號電壓進(jìn)行緩沖,實(shí)現(xiàn)了輸出阻抗匹配。利用ADS進(jìn)行仿真驗(yàn)證,結(jié)果表明,該低噪聲放大器在1.9GHz和2.4GHz 2個(gè)工作頻段下,其增益(S21)分別為26.69dB和20.12dB;輸入回波損耗(S11)分別為-15.45dB和-15.38dB;輸出回波損耗(S22)分別為-16.73dB和-20.63dB;噪聲系數(shù)(NF)分別為2.02dB和1.77dB;在3.5V的工作電壓下,靜態(tài)功耗僅有9.24mW。
[Abstract]:Based on TSMC 0.18 渭 m CMOS process, a dual-band low noise amplifier (DB-LNA) is designed and implemented. In the input stage, two LC parallel resonant network series structures are adopted, and the input impedance matching of DB-LNA in two frequency band is realized by combining with the source negative feedback inductor of PMOS transistor. In the amplifier stage, CMOS complementary common source amplifier structure and current multiplexing technology are used to improve the system gain and realize the low power consumption of DB-LNA. In the output stage, the NMOS transistor is used as the source follower of the current source to buffer the signal voltage and realize the output impedance matching. The simulation results with ADS show that the low noise amplifier works in the two operating frequency bands of 1.9GHz and 2.4GHz. The gain (S21) is 26.69dB and 20.12 dB, the input echo loss (S11) is -15.45 dB and -15.38 dB, the output echo loss (S22) is -16.73 dB and -20.63 dB, the noise coefficient (NF) is 2.02dB and 1.77 dB, and the static power consumption is only 9.24 MW at 3.5 V operating voltage.
【作者單位】： 北京工業(yè)大學(xué)電子信息與控制工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61574010,61006044,61006059,60776051) 北京市自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(4142007,4143059,4122014)
【分類號】：TN722.3

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