【摘要】：絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的瞬態(tài)熱阻抗曲線可表征器件的退化狀態(tài),對器件損傷、壽命預測等研究有重大的意義。提出了基于光纖測溫法測量瞬態(tài)熱阻抗的方法,可實時獲取器件的準確結溫,計算得到的瞬態(tài)熱阻抗曲線能反映器件的退化狀態(tài),更接近器件的實際熱阻。分別對用光纖測量法和熱敏參數(shù)法測得的瞬態(tài)熱阻抗曲線進行比較,證明了光纖測量方法準確可行。
[Abstract]:The transient thermal impedance curves of the insulated gate bipolar transistor (IGBT) can characterize the degenerate state of the device, which is of great significance to the study of device damage and life prediction. A method of measuring transient thermal impedance based on optical fiber temperature measurement method is proposed. The accurate junction temperature of the device can be obtained in real time. The calculated transient thermal impedance curve can reflect the degenerate state of the device and is closer to the actual thermal resistance of the device. The transient thermal impedance curves measured by the optical fiber measurement method and the thermal sensitive parameter method are compared respectively. The results show that the optical fiber measurement method is accurate and feasible.
【作者單位】： 河北工業(yè)大學電氣工程學院;
【基金】：國家自然科學基金(51377044) 2012年度高校博士點專項科研基金(20121317110008)~~
【分類號】：TN322.8

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本文編號：2179146